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公开(公告)号：CN111788662B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN201880089052.7
申请日：2018-12-25
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/324 , C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/322
Abstract: 本发明为一种单晶硅晶圆的热处理方法，其为在氮化性气氛下对Nv区域的单晶硅晶圆进行RTA热处理后，进行第二热处理而将BMD密度控制至规定的BMD密度的热处理方法，所述单晶硅晶圆的热处理方法中，预先求出BMD密度与RTA温度的关系的关系式，根据所述关系式，确定用于得到所述规定的BMD密度的RTA温度。由此，提供一种单晶硅晶圆的热处理方法，其用于制造表面无缺陷且在块体部分具有规定的BMD密度的退火晶圆及外延晶圆。
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公开(公告)号：CN116209795A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202180051548.7
申请日：2021-07-23
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B33/02
Abstract: 本发明提供一种硅单晶基板的制造方法，其为在表面具有碳扩散层的硅单晶基板的制造方法，其包含：通过在含碳气体气氛中对硅单晶基板进行RTA处理，使碳附着于所述硅单晶基板的表面的工序；使所述碳与所述硅单晶基板反应，从而在所述硅单晶基板的表面形成3C‑SiC单晶膜的工序；通过在氧化性气氛中对形成有所述3C‑SiC单晶膜的硅单晶基板进行RTA处理，将所述3C‑SiC单晶膜氧化而制成氧化膜并同时使碳在所述硅单晶基板中向内扩散的工序；及去除所述氧化膜的工序。由此，提供具有近邻吸杂能力且表面附近的强度高、不易发生位错或位错不易扩展的硅单晶基板及其制造方法。
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公开(公告)号：CN114174569A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202080046408.6
申请日：2020-06-30
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B31/06 , C30B29/06 , H01L21/265 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供碳掺杂单晶硅晶圆的制造方法，其具有以下工序：准备未进行碳掺杂的单晶硅晶圆的工序；在包含含碳原子化合物气体的氛围下，对所述单晶硅晶圆进行第一RTA处理的工序；以高于所述第一RTA处理的温度，进行接着所述第一RTA处理的第二RTA处理的工序；在进行所述第二RTA处理后，冷却所述单晶硅晶圆的工序；及在进行所述冷却后，进行第三RTA处理的工序，通过这些工序，将所述单晶硅晶圆改质成从表面侧起依次具有3C‑SiC单晶层、碳析出层、间隙碳与硅的扩散层、及空位与碳的扩散层。由此，提供可通过将单晶硅晶圆的表层的碳浓度设定为高浓度、并使表面的碳浓度分布均匀而提高晶圆强度的碳掺杂单晶硅晶圆及其制造方法。
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公开(公告)号：CN114174569B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202080046408.6
申请日：2020-06-30
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B31/06 , C30B29/06 , H01L21/265 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供碳掺杂单晶硅晶圆的制造方法，其具有以下工序：准备未进行碳掺杂的单晶硅晶圆的工序；在包含含碳原子化合物气体的氛围下，对所述单晶硅晶圆进行第一RTA处理的工序；以高于所述第一RTA处理的温度，进行接着所述第一RTA处理的第二RTA处理的工序；在进行所述第二RTA处理后，冷却所述单晶硅晶圆的工序；及在进行所述冷却后，进行第三RTA处理的工序，通过这些工序，将所述单晶硅晶圆改质成从表面侧起依次具有3C‑SiC单晶层、碳析出层、间隙碳与硅的扩散层、及空位与碳的扩散层。由此，提供可通过将单晶硅晶圆的表层的碳浓度设定为高浓度、并使表面的碳浓度分布均匀而提高晶圆强度的碳掺杂单晶硅晶圆及其制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112176414B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202010617597.X
申请日：2020-06-30
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B33/02 , C30B31/06 , C30B29/06 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供一种碳掺杂单晶硅晶圆的制造方法，该方法具有以下工序：准备未进行碳掺杂的单晶硅晶圆的工序；在包含含碳原子化合物气体的氛围下，对所述单晶硅晶圆进行第一RTA处理的工序；及以高于所述第一RTA处理的温度，进行接着所述第一RTA处理的第二RTA处理的工序，通过所述第一及第二RTA处理，对所述单晶硅晶圆注入空位并同时掺杂碳，将由所述单晶硅的表面至深0.1μm的范围内的碳浓度设为1×1017atoms/cm3以上。由此，提供一种通过使单晶硅晶圆的表层的碳浓度为高浓度，且使表面的碳浓度分布均匀，从而能够提高晶圆强度的碳掺杂单晶硅晶圆及其制造方法。
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公开(公告)号：CN113658848A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110442064.7
申请日：2021-04-23
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/265 , H01L29/16
Abstract: 本发明提供一种可在单晶硅基板上形成低缺陷、高结晶性、厚膜的SiC单晶膜的半导体基板的制造方法。所述半导体基板的制造方法为表面具有SiC单晶膜的半导体基板的制造方法，其包括：使碳附着于单晶硅基板的表面的工序；使附着了所述碳的所述单晶硅基板的表面碳化而形成SiC单晶底层膜的工序；在所述SiC单晶底层膜上形成非晶硅膜的工序；以所述SiC单晶底层膜为晶种，通过固相生长将所述非晶硅膜制成SiC单晶膜的工序。
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公开(公告)号：CN118556140A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202280079624.X
申请日：2022-10-31
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明为一种单晶金刚石膜的形成方法，其为在单晶硅基板上形成单晶金刚石膜的方法，其包括：准备面取向为(100)或(111)的单晶硅基板的第一工序；在含碳气氛下，对所准备的单晶硅基板进行RTA处理，从而在表面形成3C‑SiC单晶膜的第二工序；在含碳气氛下，通过施加偏压的微波等离子体CVD法而由3C‑SiC单晶膜转化成金刚石核，从而在单晶硅基板上形成金刚石核的第三工序；及在含碳气氛下，通过微波等离子体CVD法而使单晶金刚石膜在单晶硅基板上生长的第四工序。由此，提供一种形成高密度的金刚石核、晶体取向性优异、在膜中不存在晶界的大面积的单晶金刚石膜的形成方法。
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公开(公告)号：CN112176414A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202010617597.X
申请日：2020-06-30
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B33/02 , C30B31/06 , C30B29/06 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供一种碳掺杂单晶硅晶圆的制造方法，该方法具有以下工序：准备未进行碳掺杂的单晶硅晶圆的工序；在包含含碳原子化合物气体的氛围下，对所述单晶硅晶圆进行第一RTA处理的工序；及以高于所述第一RTA处理的温度，进行接着所述第一RTA处理的第二RTA处理的工序，通过所述第一及第二RTA处理，对所述单晶硅晶圆注入空位并同时掺杂碳，将由所述单晶硅的表面至深0.1μm的范围内的碳浓度设为1×1017atoms/cm3以上。由此，提供一种通过使单晶硅晶圆的表层的碳浓度为高浓度，且使表面的碳浓度分布均匀，从而能够提高晶圆强度的碳掺杂单晶硅晶圆及其制造方法。
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