公开(公告)号：CN109661728A

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201780052784.4

申请日：2017-06-20

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 内田光亮 ,  日吉透 ,  酒井光彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/417

Abstract: 第一主表面设置有：栅极沟槽，所述栅极沟槽由第一侧表面和第一底表面限定；以及源极沟槽，所述源极沟槽由第二侧表面和第二底表面限定。碳化硅衬底包括漂移区、主体区、源极区、第一区和第二区。所述第一区与所述第二区接触。栅极绝缘膜在所述第一侧表面处与所述漂移区、所述主体区和所述源极区接触，并且在所述第一底表面处与所述漂移区接触。源极电极在所述第二侧表面和所述第二底表面处与所述第二区接触。

公开(公告)号：CN107004588A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580062684.0

申请日：2015-10-07

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 酒井光彦 ,  北林弘之

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 按照一种制造MOSFET(2)的方法的以下步骤：进行沿着与{11‑20}面实质上平行的面切割碳化硅晶片(1)的第一切割步骤。在所述第一切割步骤之后，进行沿着与{11‑20}面实质上垂直并且与所述第一主表面实质上垂直的面切割所述碳化硅晶片(1)的第二切割步骤。