公开(公告)号：CN102762271B

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201180010387.3

申请日：2011-02-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上山宗谱 ,  中井龙资 ,  柏原秀树 ,  奥井学

IPC: B01D33/06 ,  B63B13/00 ,  C02F1/00 ,  C02F1/32

CPC classification number: B01D29/21 ,  B01D29/6446 ,  B01D29/74 ,  B01D29/92 ,  B01D33/073 ,  B01D33/39 ,  B01D33/463 ,  B01D35/303 ,  B01D2201/583 ,  B63J4/002 ,  C02F1/001 ,  C02F1/325 ,  C02F2103/008 ,  C02F2209/11 ,  C02F2303/04 ,  Y02T70/36

Abstract: 本发明提供用于船舶的压载水处理装置及方法，压载水处理装置能够被安装在船舶上并且将从船舶排放的压载水或装载在船舶中的压载水中的微生物有效地杀灭或灭活。压载水处理装置包括：过滤器（1），其设置为围绕轴线的圆筒且设置为可绕着轴线旋转；被处理水喷嘴（2），其朝向过滤器（1）的外周表面喷射被处理水；壳体（3），其设置为围绕过滤器（1）且包括外圆筒部（31），外圆筒部（31）在内部具有被处理水喷嘴（2）的喷嘴开口（21）；已过滤水流路（7），其用于将已透过过滤器（1）的已过滤水从过滤器（1）的圆筒的内部引导至壳体（3）的外部；以及排放流路（8），其用于将未被过滤器（1）过滤的排放水排放至壳体（3）的外部。

公开(公告)号：CN102762271A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201180010387.3

申请日：2011-02-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上山宗谱 ,  中井龙资 ,  柏原秀树 ,  奥井学

IPC: B01D33/06 ,  B63B13/00 ,  C02F1/00 ,  C02F1/32

CPC classification number: B01D29/21 ,  B01D29/6446 ,  B01D29/74 ,  B01D29/92 ,  B01D33/073 ,  B01D33/39 ,  B01D33/463 ,  B01D35/303 ,  B01D2201/583 ,  B63J4/002 ,  C02F1/001 ,  C02F1/325 ,  C02F2103/008 ,  C02F2209/11 ,  C02F2303/04 ,  Y02T70/36

Abstract: 本发明提供用于船舶的压载水处理装置及方法，压载水处理装置能够被安装在船舶上并且将从船舶排放的压载水或装载在船舶中的压载水中的微生物有效地杀灭或灭活。压载水处理装置包括：过滤器（1），其设置为围绕轴线的圆筒且设置为可绕着轴线旋转；被处理水喷嘴（2），其朝向过滤器（1）的外周表面喷射被处理水；壳体（3），其设置为围绕过滤器（1）且包括外圆筒部（31），外圆筒部（31）在内部具有被处理水喷嘴（2）的喷嘴开口（21）；已过滤水流路（7），其用于将已透过过滤器（1）的已过滤水从过滤器（1）的圆筒的内部引导至壳体（3）的外部；以及排放流路（8），其用于将未被过滤器（1）过滤的排放水排放至壳体（3）的外部。

公开(公告)号：CN101331591B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200680047480.0

申请日：2006-10-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤原伸介 ,  上村智喜 ,  冈久拓司 ,  上松康二 ,  奥井学 ,  西冈志行 ,  桥本信

IPC: H01L21/20 ,  C30B29/38 ,  H01L29/201 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/02658 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254

Abstract: 本发明的AlxGayIn1-x-yN晶体基板(12)具有面积为至少10cm2的主平面(12m)。该主平面(12m)具有位于距离主平面的外围5mm内的外侧区域(12w)，和对应于除了该外侧区域之外的区域的内侧区域(12n)。该内侧区域(12n)具有至少1×102cm-2并且至多1×106cm-2的总位错密度。由此能够提供一种用作半导体器件的基板的具有大尺寸和合适位错密度的AlxGayIn1-x-yN晶体基板、包括该AlxGayIn1-x-yN晶体基板的半导体器件、及其制造方法。

公开(公告)号：CN101847575A

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN201010163633.6

申请日：2006-10-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤原伸介 ,  上村智喜 ,  冈久拓司 ,  上松康二 ,  奥井学 ,  西冈志行 ,  桥本信

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02658 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254

Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件具有至少400V的耐受电压，所述方法包括步骤：制备AlxGayIn1-x-yN晶体基板(12)，其中0≤x、0≤y并且x+y≤1；以及在所述基板(12)上生长至少一层半导体层(41)，其中所述基板(12)具有面积为至少10cm2的主平面(12m)，所述主平面(12m)具有位于距离所述主平面的外围5mm内的外侧区域(12w)，以及对应于除了所述外侧区域之外的区域的内侧区域(12n)，并且所述内侧区域(12n)具有至少1×102cm-2并且至多1×106cm-2的总位错密度。

公开(公告)号：CN101331591A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200680047480.0

申请日：2006-10-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤原伸介 ,  上村智喜 ,  冈久拓司 ,  上松康二 ,  奥井学 ,  西冈志行 ,  桥本信

IPC: H01L21/20 ,  C30B29/38 ,  H01L29/201 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/02658 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254

Abstract: 本发明的AlxGayIn1－x－yN晶体基板(12)具有面积为至少10cm2的主平面(12m)。该主平面(12m)具有位于距离主平面的外围5mm内的外侧区域(12w)，和对应于除了该外侧区域之外的区域的内侧区域(12n)。该内侧区域(12n)具有至少1×102cm－2并且至多1×106cm－2的总位错密度。由此能够提供一种用作半导体器件的基板的具有大尺寸和合适位错密度的AlxGayIn1－x－yN晶体基板、包括该AlxGayIn1－x－yN晶体基板的半导体器件、及其制造方法。

公开(公告)号：CN100413102C

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN200510066894.5

申请日：2005-04-30

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上松康二 ,  上野昌纪 ,  弘田龙 ,  中幡英章 ,  奥井学

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明提供半导体发光装置，其中在活性层中自发电场的产生减小，从而能够提高亮度。半导体发光装置(1)装备有n-类型包层(3)；安置在n-类型包层(3)上的p-类型包层(7)；以及由氮化物构成并安置在n-类型包层(3)与p-类型包层(7)之间的活性层(5)，其中其特征在于通过正交于n-类型包层(3)和活性层(5)之间的界面的轴与活性层(5)的c-轴形成角度，以及通过正交于活性层(5)和p-类型包层(7)之间的界面的轴与活性层(5)的c-轴形成的角度，每个所述角度都大于零。

公开(公告)号：CN1694272A

公开(公告)日：2005-11-09

申请号：CN200510066894.5

申请日：2005-04-30

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上松康二 ,  上野昌纪 ,  弘田龙 ,  中幡英章 ,  奥井学

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明提供半导体发光装置，其中在活性层中自发电场的产生减小，从而能够提高亮度。半导体发光装置(1)装备有n－类型包层(3)；安置在n－类型包层(3)上的p－类型包层(7)；以及由氮化物构成并安置在n－类型包层(3)与p－类型包层(7)之间的活性层(5)，其中其特征在于通过正交于n－类型包层(3)和活性层(5)之间的界面的轴与活性层(5)的c－轴形成角度，以及通过正交于活性层(5)和p－类型包层(7)之间的界面的轴与活性层(5)的c－轴形成的角度，每个所述角度都大于零。