公开(公告)号：CN107565942B

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN201710970367.X

申请日：2017-10-16

Applicant: 云南电网有限责任公司电力科学研究院

Inventor： 许守东 ,  李胜男 ,  陈勇 ,  马红升 ,  周文闻 ,  张丽 ,  郭成 ,  周鑫 ,  李俊鹏 ,  段瑞敏 ,  韩钰 ,  徐志 ,  赵艳鹏 ,  王少伯 ,  任志军 ,  李治兵

IPC: H03K17/08

Abstract: 本申请公开了一种用于MOSFET的保护电路，包括稳压电路S1、延迟电路S2与补能电路S3，其中稳压电路S1包括稳压二极管D1。稳压二极管D1的负极连接MOSFET Q3的D极，稳压二极管D1的正极分别连接延迟电路S2与补能电路S3；延迟电路S2的另一端连接MOSFET Q2的G极，补能电路S3的另一端连接MOSFET Q3的G极。本申请的保护电路通过减缓MOSFET Q3的开关速度，降低寄生电感L产生的反向感应电压，进而降低了MOSFET Q3承受过电压的风险。