公开(公告)号：CN108231593B

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：CN201711348768.8

申请日：2017-12-15

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 村上雄纪 ,  浦上泰 ,  山下侑佑

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种开关元件的制造方法，制造漏电流难以流动且具有侧面p型区域的开关元件。开关元件的制造方法具有：准备半导体基板的工序，半导体基板具有n型的漏极区域、p型的体区域及沟槽，体区域配置在漏极区域上并且向半导体基板的表面露出，沟槽从表面贯通体区域而到达了漏极区域；及形成侧面p型区域的工序，通过对半导体基板进行加热而使体区域的一部分向沟槽内流入，来形成在比体区域靠下侧处沿着沟槽的侧面延伸的侧面p型区域。制造的开关元件具有栅极绝缘层、栅电极、底面p型区域及n型的源极区域。底面p型区域在沟槽的底面与栅极绝缘层相接，并且与侧面p型区域连接。

公开(公告)号：CN108231593A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711348768.8

申请日：2017-12-15

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 村上雄纪 ,  浦上泰 ,  山下侑佑

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种开关元件的制造方法，制造漏电流难以流动且具有侧面p型区域的开关元件。开关元件的制造方法具有：准备半导体基板的工序，半导体基板具有n型的漏极区域、p型的体区域及沟槽，体区域配置在漏极区域上并且向半导体基板的表面露出，沟槽从表面贯通体区域而到达了漏极区域；及形成侧面p型区域的工序，通过对半导体基板进行加热而使体区域的一部分向沟槽内流入，来形成在比体区域靠下侧处沿着沟槽的侧面延伸的侧面p型区域。制造的开关元件具有栅极绝缘层、栅电极、底面p型区域及n型的源极区域。底面p型区域在沟槽的底面与栅极绝缘层相接，并且与侧面p型区域连接。