转化体的制造方法
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114591998B

    公开(公告)日:2024-05-14

    申请号:CN202111474177.1

    申请日:2021-12-03

    Inventor: 大西彻

    Abstract: 本发明提供转化体的制造方法。本发明的课题在于简便地判断包含目的基因的核酸片段是否准确地整合于宿主基因组中。将包含具有目的基因的核酸片段的核酸片段群导入到宿主细胞中,选择利用位点特异性重组酶从基因组DNA中切出了所述目的基因的宿主细胞。

    半导体器件
    7.
    发明公开
    半导体器件 审中-实审

    公开(公告)号:CN116487416A

    公开(公告)日:2023-07-25

    申请号:CN202310355840.9

    申请日:2017-10-30

    Abstract: 提供一种半导体器件,其中在沟槽(6)的端部中,露出沟槽的端部(10)的开口(22)被形成在引出电极(20)中,半导体基板的顶表面侧上的沟槽栅电极(14)的侧表面与沟槽侧表面(12)间隔开,并且与位于半导体基板的顶表面(4)和沟槽侧表面之间的边界线相邻的范围覆盖有层叠绝缘膜,层叠绝缘膜被构造成使得层间绝缘膜在栅极绝缘膜上层叠。在沟槽的直线部中,沟槽栅电极的顶表面与半导体基板的顶表面对准,并且层间绝缘膜不进入沟槽,其中,在沟槽的端部中,沟槽栅电极的顶表面被刻蚀,从而在沟槽的端部中的沟槽栅电极的顶表面的高度低于半导体基板的顶表面和在沟槽的直线部中沟槽栅电极的顶表面两者。这使得能够防止绝缘膜的介电击穿。

    转化体的制造方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114591998A

    公开(公告)日:2022-06-07

    申请号:CN202111474177.1

    申请日:2021-12-03

    Inventor: 大西彻

    Abstract: 本发明提供转化体的制造方法。本发明的课题在于简便地判断包含目的基因的核酸片段是否准确地整合于宿主基因组中。将包含具有目的基因的核酸片段的核酸片段群导入到宿主细胞中,选择利用位点特异性重组酶从基因组DNA中切出了所述目的基因的宿主细胞。

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