公开(公告)号：CN108364861B

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN201810027050.7

申请日：2018-01-11

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 冈田将和 ,  浦上泰 ,  山下侑佑

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/266 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明涉及制造半导体装置的方法。制造半导体装置的方法包括：在半导体基板的表面上形成沟道；在沟道的侧表面和底表面上形成氧化膜；从沟道的底表面通过干蚀刻除去氧化膜的至少一部分；以及在干蚀刻之后，通过沟道的底表面将导电杂质离子注入到半导体基板中。干蚀刻是反应离子蚀刻，在所述反应离子蚀刻中，使用蚀刻气体，所述蚀刻气体包括具有碳原子环结构的碳氟化合物基气体、氧气和氩气。

公开(公告)号：CN108364861A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201810027050.7

申请日：2018-01-11

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 冈田将和 ,  浦上泰 ,  山下侑佑

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/266 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/0634 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明涉及制造半导体装置的方法。制造半导体装置的方法包括：在半导体基板的表面上形成沟道；在沟道的侧表面和底表面上形成氧化膜；从沟道的底表面通过干蚀刻除去氧化膜的至少一部分；以及在干蚀刻之后，通过沟道的底表面将导电杂质离子注入到半导体基板中。干蚀刻是反应离子蚀刻，在所述反应离子蚀刻中，使用蚀刻气体，所述蚀刻气体包括具有碳原子环结构的碳氟化合物基气体、氧气和氩气。