半导体发光器件
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103247734A

    公开(公告)日:2013-08-14

    申请号:CN201310052061.8

    申请日:2013-02-17

    Abstract: 提供一种半导体发光器件,包括:第一导电型半导体层;发光层;第二导电型半导体层;第一极性的导电部分,其电气连接到第一导电型半导体层;以及第二极性的导电部分,其电气连接到第二导电型半导体层。第一极性的导电部分和第二极性的导电部分中的至少之一包括布置在发光表面上的多个分开的电极部分。分开的电极部分的位置越靠近发光表面的中心点,分开的电极部分被稀疏地设置,分开的电极部分的位置越远离发光表面的中心点,分开的电极部分被密集地设置。

    半导体发光器件
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103247734B

    公开(公告)日:2015-10-14

    申请号:CN201310052061.8

    申请日:2013-02-17

    Abstract: 提供一种半导体发光器件,包括:第一导电型半导体层;发光层;第二导电型半导体层;第一极性的导电部分,其电气连接到第一导电型半导体层;以及第二极性的导电部分,其电气连接到第二导电型半导体层。第一极性的导电部分和第二极性的导电部分中的至少之一包括布置在发光表面上的多个分开的电极部分。分开的电极部分的位置越靠近发光表面的中心点,分开的电极部分被稀疏地设置,分开的电极部分的位置越远离发光表面的中心点,分开的电极部分被密集地设置。

Patent Agency Ranking