公开(公告)号：CN103839863A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201310589003.9

申请日：2013-11-20

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 安原秀树 ,  吉村和孝

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/68771 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/4585 ,  C30B25/12 ,  C30B29/403 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/6875 ,  C23C16/4581

Abstract: 本发明的课题是抑制使化合物半导体外延生长时的组成不均匀。一种在MOCVD装置中保持晶片（W）的晶片保持体（30），具备：装载晶片（W）的装载部件（40）；和被装载于装载部件（40），并且限制装载部件（40）所装载的晶片（W）的移动的环状的限制部件（50）。在装载部件（40）的上表面设有装载晶片（W）的晶片装载面和装载限制部件（50）的环形装载面，晶片装载面相比于环形装载面向上方突出地形成，并且具有与周缘部相比中央部隆起的凸状的形状，晶片装载面的算术平均粗糙度（Ra）被设定在0.5μm以下。

公开(公告)号：CN103839863B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310589003.9

申请日：2013-11-20

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 安原秀树 ,  吉村和孝

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/68771 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/4585 ,  C30B25/12 ,  C30B29/403 ,  H01L21/68764

Abstract: 本发明的课题是抑制使化合物半导体外延生长时的组成不均匀。一种在MOCVD装置中保持晶片（W）的晶片保持体（30），具备：装载晶片（W）的装载部件（40）；和被装载于装载部件（40），并且限制装载部件（40）所装载的晶片（W）的移动的环状的限制部件（50）。在装载部件（40）的上表面设有装载晶片（W）的晶片装载面和装载限制部件50）的环形装载面，晶片装载面相比于环形装载面向上方突出地形成，并且具有与周缘部相比中央部隆起的凸状的形状，晶片装载面的算术平均粗糙度（Ra）被设定在0.5μm以下。