公开(公告)号：CN1863944A

公开(公告)日：2006-11-15

申请号：CN02804691.9

申请日：2002-02-12

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 永井诚二 ,  冨田一义 ,  山崎史郎 ,  手钱雄太 ,  平松敏夫

IPC: C30B25/18

Abstract: 一种半导体晶体制造方法及半导体发光元件，利用横向晶体成长作用，在底衬底上，使由III族氮化物系化合物半导体构成的半导体晶体成长，自底衬底得到独立的优质半导体晶体。本发明的半导体晶体制造方法包括：突起部形成工序，在底衬底上形成多个突起部；晶体成长工序，把所述突起部表面的至少一部分作为衬底层开始晶体成长的最初成长面，使所述衬底层结晶成长，直至该成长面各自相互连接形成至少相连的大致平面；分离工序，通过断裂所述突起部，把所述衬底层和所述底衬底加以分离。本发明可得到没有裂纹、转位密度低的高质量的半导体晶体(晶体成长衬底)。

公开(公告)号：CN100414005C

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN02804691.9

申请日：2002-02-12

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 永井诚二 ,  冨田一义 ,  山崎史郎 ,  手钱雄太 ,  平松敏夫

IPC: C30B25/18

Abstract: 一种半导体晶体制造方法及半导体发光元件，利用横向晶体成长作用，在底衬底上，使由III族氮化物系化合物半导体构成的半导体晶体成长，自底衬底得到独立的优质半导体晶体。本发明的半导体晶体制造方法包括：突起部形成工序，在底衬底上形成多个突起部；晶体成长工序，把所述突起部表面的至少一部分作为衬底层开始晶体成长的最初成长面，使所述衬底层结晶成长，直至该成长面各自相互连接形成至少相连的大致平面；分离工序，通过断裂所述突起部，把所述衬底层和所述底衬底加以分离。本发明可得到没有裂纹、转位密度低的高质量的半导体晶体(晶体成长衬底)。

公开(公告)号：CN1491299A

公开(公告)日：2004-04-21

申请号：CN02804627.7

申请日：2002-02-12

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 永井诚二 ,  冨田一义 ,  色川芳宏 ,  加地彻

IPC: C30B25/18 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/76254 ,  H01L33/0079

Abstract: 一种半导体晶体成长方法及半导体发光元件，该法是在底衬底上使与所述底衬底不同的半导体物质结晶成长的半导体晶体成长方法，其特征在于，在开始所述晶体成长前，把离子从所述底衬底的晶体成长面注入。所述半导体发光元件的特征在于，至少作为晶体成长衬底，具有使用上述晶体成长方法制造的半导体晶体。在所述晶体成长过程中，底衬底以离子注入层为界破断，并最终分离为薄膜部分和主要部分。本发明的半导体晶体制造方法，能得到比现有技术结晶性优良、裂纹少的氮化镓单晶。