一种对温度测量系统进行全系统宽低温综合校准的设备

    公开(公告)号:CN113049145B

    公开(公告)日:2022-01-28

    申请号:CN202110332037.4

    申请日:2021-03-29

    Abstract: 本发明提供了一种对温度测量系统进行全系统宽低温综合校准的设备,校准温度范围77K到323K,采用制冷机制冷和加热器加热综合控温方式,隔热校准腔采用三层结构,中层外层真空隔热,内层作为校准温度源,放置传感器安装铜座,通过充氦实现温度场快速均匀。在校准过程中,温度传感器带线缆穿过密封座后,置于校准腔内的传感器安装铜座内,然后对导线实行密封,中外层抽真空隔热,内层充氦。准备就绪后,在测控机柜控制下,自动按照校准流程实施制冷机和加热器校准腔温度控制,达到校准目标温度值后,温度测量系统采集校准温度点的电流或电压值。按流程所有校准点完成后进行校准曲线拟合,得到温度测量系统测量范围内的校准曲线。

    一种对温度测量系统进行全系统宽低温综合校准的设备

    公开(公告)号:CN113049145A

    公开(公告)日:2021-06-29

    申请号:CN202110332037.4

    申请日:2021-03-29

    Abstract: 本发明提供了一种对温度测量系统进行全系统宽低温综合校准的设备,校准温度范围77K到323K,采用制冷机制冷和加热器加热综合控温方式,隔热校准腔采用三层结构,中层外层真空隔热,内层作为校准温度源,放置传感器安装铜座,通过充氦实现温度场快速均匀。在校准过程中,温度传感器带线缆穿过密封座后,置于校准腔内的传感器安装铜座内,然后对导线实行密封,中外层抽真空隔热,内层充氦。准备就绪后,在测控机柜控制下,自动按照校准流程实施制冷机和加热器校准腔温度控制,达到校准目标温度值后,温度测量系统采集校准温度点的电流或电压值。按流程所有校准点完成后进行校准曲线拟合,得到温度测量系统测量范围内的校准曲线。

    一种等离子体推力器羽流参数多点测量装置及测量方法

    公开(公告)号:CN114245554B

    公开(公告)日:2025-01-17

    申请号:CN202111465016.6

    申请日:2021-12-03

    Abstract: 本发明涉及一种等离子体推力器羽流参数多点测量装置及测量方法,多点测量装置,包括:真空舱;与所述真空舱相连接的真空泵单元;与所述真空泵单元相连接的工控单元,用于提供并维持所述真空舱的真空环境;以及测量单元;所述测量单元包括:至少两个设置在所述真空舱内的三维移动平台;设置于所述三维移动平台上的探测结构;与所述探测结构连接,用于采集数据的采集单元;探测结构采用朗缪尔探针、RPA探针或Faraday探针。本发明可以提高等离子体测量效率、能够连续测量羽流多点对称性,打破朗缪尔探针使用的局限性、屏蔽探针电路中的误差干扰,同时,本发明的多点测量装置结构简单、稳定可靠,实用性强。

    不规则物体的三维测量装置及方法

    公开(公告)号:CN115790403A

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN202211495208.6

    申请日:2022-11-26

    Abstract: 本发明涉及一种不规则物体的三维测量装置及方法,所述装置包括:支架;载物平台,与所述支架连接,所述载物平台为透明材质;多个第一扫描仪,设置于所述载物平台的下方;多个第二扫描仪,设置于所述载物平台的上方;所述多个第一扫描仪和所述多个第二扫描仪的扫描范围全方位覆盖所述载物平台上的待测物。本发明可一次性实现待测物的全方位扫描,提高了扫描的效率,且可以有效提高扫描结果的精度。

    航天器直流负载输入阻抗测量方法及装置

    公开(公告)号:CN114646806A

    公开(公告)日:2022-06-21

    申请号:CN202011519812.9

    申请日:2020-12-21

    Abstract: 本申请公开了一种航天器直流负载输入阻抗测量方法及装置,所述方法包括:在直流电源与航天器直流负载之间的传输线上注入交流扰动电压,使所述传输线上形成交流扰动电流;测量流入所述航天器直流负载方向的交流扰动电流,计算所述交流扰动电压与所述航天器直流负载方向的交流扰动电流的基波相量比,得到所述航天器直流负载的输入阻抗。本申请准确的测量结果可以指导航天器供电系统的设计和调试,保障电源系统稳定可靠,保障各用电负载工作正常,为航天器各用电负载输入阻抗的测量、校准和验收提供依据。

    等离子体参数校准方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114245553A

    公开(公告)日:2022-03-25

    申请号:CN202111464320.9

    申请日:2021-12-03

    Abstract: 本发明涉及一种等离子体参数校准方法,包括以下步骤:a、构建等离子体参数测量溯源的最高测量标准,将最高测量标准溯源至电学、光学标准装置;b、利用最高测量标准校准等离子体测量装置,实现等离子体测量装置的校准溯源;c、利用最高测量标准校准次高测量标准,利用校准后的次高测量标准对等离子体发生器进行现场校准。由此,可实现等离子体测量装置的校准溯源以及等离子体发生器的溯源,本发明的方法保证了等离子体参数的量值准确。

    TDLAS温度校准系统
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103175634B

    公开(公告)日:2015-08-05

    申请号:CN201310048162.8

    申请日:2013-02-06

    Abstract: TDLAS温度校准系统,用于实现对TDLAS温度测量的校准,其特征在于,包括标准传感器温度测量系统和被校准的在真空环境下测量气体温度的TDLAS温度测量系统,所述TDLAS温度测量系统中的光学系统位于恒温槽中,所述光学系统的壳体与所述恒温槽周壁之间具有恒温液,所述标准传感器温度测量系统中的标准传感器位于所述恒温液内。

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