公开(公告)号：CN118800897A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202411288373.3

申请日：2024-09-13

Applicant: 中国科学技术大学

Inventor： 宋礼 ,  曹宇杨 ,  魏世强 ,  陈双明

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/58 ,  H01M4/587 ,  H01M10/0525 ,  C01G39/00 ,  C01B19/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供了一种MoSe2@Mo2C杂化材料的制备方法，包括以下步骤：S1）将少层Mo2C和硒粉混合，得到混合物；S2）将所述混合物在保护气氛下退火，得到MoSe2@Mo2C杂化材料。本申请还提供了一种负极材料和一种二次电池。本发明制备的MoSe2@Mo2C杂化材料保持了少层Mo2C MXene的纳米片层结构，使得杂化材料拥有更多的活性位点，更短的离子传输路径和结构稳定性；不仅丰富了Mo2C MXene杂化、复合材料的结构多样性，还拓展了其在锂离子电池中的应用。

公开(公告)号：CN113060709A

公开(公告)日：2021-07-02

申请号：CN202110324718.6

申请日：2021-03-26

Applicant: 中国科学技术大学

Inventor： 陈双明 ,  曹宇杨 ,  魏世强 ,  宋礼

IPC: C01B21/076 ,  H01M4/58 ,  H01M4/1397 ,  H01M10/0525 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种Ti2N MXene纳米材料的制备方法，该方法包括：将Ti2AlN、路易斯酸、熔融盐研磨并均匀混合，得到第一混合粉末；对第一混合粉末进行退火处理，得到退火后的第一混合粉末；利用过硫酸铵对退火后的第一混合粉末洗涤，经离心、干燥后，得到Ti2N MXene。