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发明公开
卤氧化铋多孔薄膜及其制备方法和应用审中-实审

公开(公告)号：CN116282146A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202211102792.4

申请日：2022-09-09

Applicant: 中国石油大学(北京)

Inventor： 高旸钦 , 赵文悦 , 史欣灿 , 代言杰

IPC: C01G29/00 , C01G31/00

Abstract: 本发明提供一种卤氧化铋多孔薄膜及其制备方法和应用，所述制备方法包括：将含有铋元素和卤素的薄膜生长液与触发气体接触进行气液相界面反应，在所述薄膜生长液的表面生长成所述卤氧化铋多孔薄膜。本发明可提高卤氧化铋多孔薄膜的厚度均匀性等性能，可用于大面积均匀卤氧化铋多孔薄膜的制备，且具有制备工艺简单、低成本、形貌及厚度可调控等优点。

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