公开(公告)号：CN114823909A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210394899.4

申请日：2022-04-15

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 钱玲莉 ,  熊派派 ,  徐青 ,  黄晓宗 ,  张世莉

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明属于集成电路的静电泄放保护电路的设计领域，特别涉及一种利用分割技术的高维持电压的LDMOS‑SCR器件结构，包括p型硅衬底；p型硅衬底上形成n型的埋层区；n型的埋层区上从左到右分别形成一个p型深阱区、一个n型深阱区，且n型深阱区邻接所述p型深阱区；n型深阱区内从左到右依次设有n型的重掺杂区、p型的重掺杂区且所述n型的重掺杂区和p型的重掺杂区与阳极相连；p型深阱区内由从前到后交错设置的多个p型的重掺杂区和n型的重掺杂区，p型的重掺杂区和n型的重掺杂区与阴极连接；本发明阴极的p型重掺杂区和n型重掺杂区为分割块，可以显著提升寄生的pnp晶体管的电流，减弱电导调制效应，从而大幅提升维持电压。

公开(公告)号：CN118398616A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410483768.2

申请日：2024-04-22

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 钱玲莉 ,  史凡萍 ,  徐青 ,  黄炜

IPC: H01L27/02

Abstract: 本发明属于静电防护领域，具体涉及一种可调整触发电压和维持电压的PNP管静电防护器件；包括：PNP管静电防护器件共有3种器件结构，通过选用不同的器件结构，实现多种电压下的静电防护；本发明在保持较高失效电流的同时，通过选择不同的阱组合和调整发射极到集电极的距离可以实现调整的触发电压和维持电压；不同于基本PNP器件只有单一阱组合且固定发射极到集电极距离，只有单一的触发电压和维持电压；本发明可调整触发电压和维持电压的PNP管从3种结构来调整阱组合并调整发射极到集电极距离，从而实现多种电压下的静电防护。

公开(公告)号：CN119921751A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202411978353.9

申请日：2024-12-31

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 熊派派 ,  熊欣 ,  钱玲莉 ,  徐青 ,  刘骏豪 ,  刘康路

IPC: H03K17/687 ,  H03K17/081 ,  H03K19/0175

Abstract: 本发明属于ESD设计架构技术领域，具体涉及一种可广泛用于模拟开关的简易高可靠ESD设计架构，包括ESD防护二极管和MOS开关电路，所述ESD防护二极管包括二极管D22、二极管D23、二极管D24、二极管D25、二极管D26、二极管D27、二极管D28、二极管D29、二极管D30、二极管D31和二极管D32，所述EN引脚连接二极管D22负极，所述二极管D23和二极管D24的正极相连，并且接地；本发明提供了一种可广泛应用模拟开关的简易高可靠ESD设计架构，不仅能解决普通模拟开关芯片特殊上电时序、模拟端口不能过压等问题，还能为特殊类型的模拟开关芯片如具有掉电隔离、过压保护、冷备份等模拟开关芯片提供高可靠的ESD防护能力的同时降低芯片面积从而降低芯片成本。

公开(公告)号：CN114823909B

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202210394899.4

申请日：2022-04-15

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 钱玲莉 ,  熊派派 ,  徐青 ,  黄晓宗 ,  张世莉

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明属于集成电路的静电泄放保护电路的设计领域，特别涉及一种利用分割技术的高维持电压的LDMOS‑SCR器件结构，包括p型硅衬底；p型硅衬底上形成n型的埋层区；n型的埋层区上从左到右分别形成一个p型深阱区、一个n型深阱区，且n型深阱区邻接所述p型深阱区；n型深阱区内从左到右依次设有n型的重掺杂区、p型的重掺杂区且所述n型的重掺杂区和p型的重掺杂区与阳极相连；p型深阱区内由从前到后交错设置的多个p型的重掺杂区和n型的重掺杂区，p型的重掺杂区和n型的重掺杂区与阴极连接；本发明阴极的p型重掺杂区和n型重掺杂区为分割块，可以显著提升寄生的pnp晶体管的电流，减弱电导调制效应，从而大幅提升维持电压。