公开(公告)号：CN110514926A

公开(公告)日：2019-11-29

申请号：CN201910760628.4

申请日：2019-08-16

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 张战刚 ,  林倩 ,  雷志锋 ,  黄云 ,  黄奕铭 ,  岳少忠 ,  彭超 ,  恩云飞

IPC: G01R31/00 ,  G01R31/265 ,  G01R31/28

Abstract: 本申请涉及一种移动终端中子辐照效应测试系统和方法，所述系统包括设于辐照室内的第一计算机设备，设于辐照室内的辐射设备，以及设于辐照室外的第二计算机设备；第二计算机设备在辐射设备向待测移动终端发射中子束流时，并通过第一计算机设备远程操控待测移动终端，以使待测移动终端运行各测试程序；第一计算机设备监测待测移动终端在运行各测试程序下对应的运行状况数据；第二计算机设备基于各测试程序对各运行状况数据进行分析，得到待测移动终端在中子束流辐照下、运行各测试程序对应的错误数据，本申请能够对移动终端整机的中子辐照效应进行测试，并可测试移动终端的不同性能受中子辐照的影响。

公开(公告)号：CN111722075B

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202010611079.7

申请日：2020-06-30

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 彭超 ,  雷志锋 ,  岳少忠 ,  张战刚 ,  何玉娟

IPC: G01R31/26 ,  H01L29/06 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种GaN基HEMT器件潜径迹表征用测试结构及表征方法，结构包括底座、导电连接层及扫描探针。底座用于放置GaN基异质结构，GaN基异质结构包括沿远离底座方向依次层叠设置的GaN缓冲层、势垒层以及欧姆接触层，其中，GaN缓冲层和势垒层之间形成有二维电子气，欧姆接触层与二维电子气连通；导电连接层连接底座与欧姆接触层；扫描探针由底座引出，并连接势垒层，以在扫描探针与底座之间形成电回路，扫描探针用于沿势垒层表面扫描并在预设的偏压条件下获取势垒层中潜径迹的表征结果。通过上述测试结构能够快速准确地验证GaN基异质结构的势垒层中是否存在潜径迹，当存在潜径迹，可获取其表征结果，实现对潜径迹的有效表征。

公开(公告)号：CN111722075A

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN202010611079.7

申请日：2020-06-30

Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

Inventor： 彭超 ,  雷志锋 ,  岳少忠 ,  张战刚 ,  何玉娟

IPC: G01R31/26 ,  H01L29/06 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种GaN基HEMT器件潜径迹表征用测试结构及表征方法，结构包括底座、导电连接层及扫描探针。底座用于放置GaN基异质结构，GaN基异质结构包括沿远离底座方向依次层叠设置的GaN缓冲层、势垒层以及欧姆接触层，其中，GaN缓冲层和势垒层之间形成有二维电子气，欧姆接触层与二维电子气连通；导电连接层连接底座与欧姆接触层；扫描探针由底座引出，并连接势垒层，以在扫描探针与底座之间形成电回路，扫描探针用于沿势垒层表面扫描并在预设的偏压条件下获取势垒层中潜径迹的表征结果。通过上述测试结构能够快速准确地验证GaN基异质结构的势垒层中是否存在潜径迹，当存在潜径迹，可获取其表征结果，实现对潜径迹的有效表征。