公开(公告)号：CN115295198B

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202210932513.0

申请日：2022-08-04

Applicant: 中国核动力研究设计院

Inventor： 何宗倍 ,  陈江善 ,  李统业 ,  姚力夫 ,  潘小强 ,  邱绍宇

IPC: G21C21/16 ,  G21C21/04

Abstract: 本发明公开了一种振荡烧结制备全陶瓷微封装弥散燃料的方法，包括以下步骤：S1、将多层包覆燃料微球和SiC粉体装入喷涂有氮化硼的石墨模具内；S2、将石墨模具放入振荡烧结炉内进行振荡烧结：温度控制过程为：室温～1200℃的升温速率为5～15℃/min，1200℃～目标温度的升温速率为3～5℃/min，在目标温度下保温，保温结束后，随炉冷却；压力控制为：在升温到目标温度前，保持1～5MPa压力，在达到目标温度之后，施加目标振荡压力，保温结束后，进行卸压。本发明不仅能够实现SiC基体烧结致密化，且相比热压烧结，具有较低烧结温度、较高的致密化速率。

公开(公告)号：CN115295198A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202210932513.0

申请日：2022-08-04

Applicant: 中国核动力研究设计院

Inventor： 何宗倍 ,  陈江善 ,  李统业 ,  姚力夫 ,  潘小强 ,  邱绍宇

IPC: G21C21/16 ,  G21C21/04

Abstract: 本发明公开了一种振荡烧结制备全陶瓷微封装弥散燃料的方法，包括以下步骤：S1、将多层包覆燃料微球和SiC粉体装入喷涂有氮化硼的石墨模具内；S2、将石墨模具放入振荡烧结炉内进行振荡烧结：温度控制过程为：室温～1200℃的升温速率为5～15℃/min，1200℃～目标温度的升温速率为3～5℃/min，在目标温度下保温，保温结束后，随炉冷却；压力控制为：在升温到目标温度前，保持1～5MPa压力，在达到目标温度之后，施加目标振荡压力，保温结束后，进行卸压。本发明不仅能够实现SiC基体烧结致密化，且相比热压烧结，具有较低烧结温度、较高的致密化速率。