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公开(公告)号:CN117521382B
公开(公告)日:2025-02-18
申请号:CN202311536046.0
申请日:2023-11-17
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: G06F30/20 , G16C60/00 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种等摩尔比高熵合金空位性质的数值模拟研究方法,涉及新材料点缺陷数值模拟技术领域,包括以下步骤:1)利用FindIt软件查找等摩尔比高熵合金中每个金属单质的结构,得到晶格参数;2)利用ATAT软件寻找等摩尔比高熵合金的SQS超胞模型;3)利用VASP软件对SQS超胞结构进行优化;4)构建等摩尔比高熵合金空位模型;5)对金属单质及含空位的晶体模型进行第一性原理计算模拟,计算金属单质及所有含空位的等摩尔比高熵合金晶胞的能量;6)计算所有空位的形成能,并从局域环境中的不同角度分析空位的形成特点及对空位形成的影响因素。从理论上揭示等摩尔比高熵合金中空位的形成机理及影响因素。
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公开(公告)号:CN119446360A
公开(公告)日:2025-02-14
申请号:CN202411483078.3
申请日:2024-10-23
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: G16C60/00
Abstract: 本发明公开了一种高熵合金中堆垛层错的建模方法、系统及设备,该方法包括:根据高熵合金HEA的结构文件,基于Materials Studio软件构建含密排面的重复单元,形成第一结构文件并导出cif格式的第一结构文件;基于Atomsk程序将所述第一结构文件进行格式转换,得到第二格式文件并导出xsf格式的第二结构文件;基于所述第二结构文件,通过Atomsk程序的相关命令组合,确定和移动预设原子层,获得位于不同原子层的多个堆垛层错结构。本发明一次能够实现多个构建位于不同原子层的多个堆垛层错结构,且方便快速、准确,效率高,为理论模拟研究HEA中的大尺寸缺陷提供了模型基础和技术手段。
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公开(公告)号:CN119252396A
公开(公告)日:2025-01-03
申请号:CN202411400130.4
申请日:2024-10-09
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: G16C60/00 , G06F30/20 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种计算间隙哑铃缺陷形成能的方法、装置、设备及介质,涉及高熵合金中间隙缺陷行为的数值模拟技术领域,基于密度泛函理论的第一性原理计算方法研究AlNbTiZr高熵合金的SQS超胞中间隙哑铃缺陷性质的方法,从原子分子尺度揭示材料中间隙哑铃缺陷形成机制;仅通过原子坐标和贋势文件等就可以预测不同隙哑铃缺陷形成能,对AlNbTiZr高熵合金中间隙哑铃缺陷的研究有重要的科学意义,克服了实验上很难从原子尺度揭示辐照初期间隙哑铃缺陷行为等缺点。
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公开(公告)号:CN117521177A
公开(公告)日:2024-02-06
申请号:CN202311536048.X
申请日:2023-11-17
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: G06F30/10 , G06F30/20 , G16C10/00 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种等摩尔比高熵合金中间隙哑铃的建模方法,涉及高熵合金的数值模拟建模技术领域,通过VESTA软件构建沿(100)方向的间隙哑铃结构;再通过MS软件构建沿(110)方向的间隙哑铃结构;最后基于(110)方向的间隙哑铃结构,继续通过MS构建沿(111)方向的间隙哑铃结构。通过向等摩尔比高熵合金体系中特定的位置添加原子,再沿特定坐标轴进行特定角度旋转,获得含有沿不同方向的间隙哑铃结构的体系,得到了快速、高效、准确地构建等摩尔比高熵合金中间隙哑铃结构的方法,为后续研究体系中间隙哑铃的形成、稳定性、迁移特性等提供了模型基础,对等摩尔比高熵合金中间隙哑铃结构的研究有重要的科学意义。
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公开(公告)号:CN115758493A
公开(公告)日:2023-03-07
申请号:CN202211458775.4
申请日:2022-11-17
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: G06F30/10 , G06F30/20 , G06F17/10 , G06F119/14 , G06F119/08 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种多晶锆铌合金体系的相场模型、建模方法和电子设备,基于多晶锆铌合金体系中的两种元素和平衡空位,吉布斯能量的总表达式为:该模型以模拟用于锆铌合金包壳材料辐照效应研究的初始样品制备过程中的参量变化;利于克服现有技术中的相场模型主要通过经验设定初始模拟参数从而无法保证随后模拟结果的准确性的问题。
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公开(公告)号:CN115273992A
公开(公告)日:2022-11-01
申请号:CN202210933893.X
申请日:2022-08-04
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: G16C10/00
Abstract: 本发明实施例提供一种辐照缺陷对腐蚀行为影响的模拟方法,包括:模拟含和不含典型辐照缺陷的氧原子在不同间隙占位的含Nb锆合金结构;进行高通量筛选,筛选出能量最低的含典型辐照缺陷的氧原子在不同间隙占位的含Nb锆合金结构;对筛选出的所有能量最低的含典型辐照缺陷的氧原子在不同间隙占位的含Nb锆合金结构进行单点能计算;通过缺陷形成能公式计算每个能量最低的含典型辐照缺陷的氧原子在不同间隙占位的含Nb锆合金结构中的典型缺陷与氧原子的结合能;根据结合能结合由单点能得到的电子特性参数,模拟预测辐照缺陷对含Nb锆合金腐蚀行为的影响。本发明实施例解决了现有技术难以模拟辐照缺陷对含Nb锆合金的腐蚀行为的影响的技术问题。
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公开(公告)号:CN119207595A
公开(公告)日:2024-12-27
申请号:CN202411209113.2
申请日:2024-08-30
Applicant: 中国核动力研究设计院
Abstract: 本发明公开了UO2中空位型点缺陷稳定性的分析方法、系统及介质,该方法包括:建立UO2晶体学原胞,测试UO2第一性原理的计算参数,计算参数包括平面波截断能、K点网格密度和强关联体系Hubbard模型U值;基于UO2晶体学原胞,建立UO2超胞;采用UO2超胞,构建含辐照产生的不同空位缺陷结构模型;根据计算参数,对空位缺陷结构模型进行优化,并计算形成能和结合能;根据形成能和结合能,判断辐照后UO2中不同的空位缺陷形成的难易程度,并分析不同空位缺陷的稳定性。本发明计算不依赖经验参数,计算精度高、可靠性强;本发明为UO2燃料辐照损伤研究提供有效的计算方法,为UO2燃料的设计和改性提供理论支撑。
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公开(公告)号:CN114518376B
公开(公告)日:2024-08-23
申请号:CN202210150745.0
申请日:2022-02-18
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: G01N23/2204 , G21F3/00 , G21F1/08
Abstract: 本发明公开了一种放射性试样的电子探针屏蔽样品座,包括样品台底盘、可调节样品夹具和固定样品夹具;所述固定样品夹具和可调节样品夹具设置在样品台底盘上,所述固定样品夹具和可调节样品夹具相对设置,所述固定样品夹具和可调节样品夹具之间形成用于容纳标准样品和待测样品的容纳腔,所述固定样品夹具和可调节样品夹具之间的间距可调节;所述样品台底盘、可调节样品夹具和固定样品夹具均采用屏蔽材料制成。本发明的样品座在不影响电子探针正常测试的情况下能对放射性样品从源头上进行屏蔽,进而降低设备元器件所承受的辐射剂量水平、提高元器件的使用寿命、优化设备信息采集效率、保护试验人员和试验环境等的电子探针屏蔽样品座。
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公开(公告)号:CN117476150A
公开(公告)日:2024-01-30
申请号:CN202311544009.4
申请日:2023-11-17
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: G16C60/00 , G06F30/20 , G06F119/14 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种锆锡合金辐照下微观结构演化模拟方法、系统和设备,本发明提出的方法基于数值模拟技术,利用相场法建立锆锡合金的微观结构模型,同时引入辐照缺陷演化的速率理论模型,从而获得辐照下锆锡合金的微观结构演化模型,利用该微观结构演化模型以及辐照参数,即可获得不同辐照条件下锆锡合金的微观结构演化和辐照缺陷分布,相较于现有技术可以大幅度减少试验时间和试验成本,且无需试验人员接触放射性物质,此外,还可以为后期锆锡合金中力学性能的数值模拟计算提供更加精确可靠的数据支撑。
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公开(公告)号:CN115273992B
公开(公告)日:2024-01-23
申请号:CN202210933893.X
申请日:2022-08-04
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: G16C10/00
Abstract: 本发明实施例提供一种辐照缺陷对腐蚀行为影响的模拟方法,包括:模拟含和不含典型辐照缺陷的氧原子在不同间隙占位的含Nb锆合金结构;进行高通量筛选,筛选出能量最低的含典型辐照缺陷的氧原子在不同间隙占位的含Nb锆合金结构;对筛选出的所有能量最低的含典型辐照缺陷的氧原子在不同间隙占位的含Nb锆合金结构进行单点能计算;通过缺陷形成能公式计算每个能量最低的含典型辐照缺陷的氧原子在不同间隙占位的含Nb锆合金结构中的典型缺陷与氧原子的结合能;根据结合能结合由单点能得到的电子特性参数,模拟预测辐照缺陷对含Nb锆合金腐蚀行为的影响。本发明实施例解决了现有技术难以模拟辐照缺陷对含Nb锆合金的腐蚀行为的影响的技术问题。
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