一种以碳纳米管作为离子发射剂的铀同位素丰度测量方法

    公开(公告)号:CN103033555B

    公开(公告)日:2015-04-08

    申请号:CN201210538112.3

    申请日:2012-12-13

    Abstract: 本发明公开了一种以碳纳米管作为离子发射剂的铀同位素丰度测量方法,包括:(1)制样:碳纳米管悬浊液配制和铼带预处理;(2)涂样:将蒸发铼带安置在涂样器上,取铀溶液滴于蒸发铼带上,烘干后降至室温;取碳纳米管悬浊液涂覆在铀样品上,烘干蒸发铼带,待其降至室温后装入转盘;(3)样品测量:将转盘送入离子源中,开启质谱仪,待产生的离子流信号强度最大且信号最为平稳时,稳定3~5min,开始铀同位素丰度测量数据采集。本发明采用碳纳米管作为铀同位素丰度测量的离子发射剂,以改善热电离质谱测量痕量铀样品的离子发射性能;通过优化碳纳米管作为发射剂使用的烧带,制样和测试等实验条件,建立起一种痕量铀同位素丰度测量的新方法。

    一种以碳纳米管作为离子发射剂的硼同位素丰度测量方法

    公开(公告)号:CN103487497B

    公开(公告)日:2016-03-23

    申请号:CN201310455957.0

    申请日:2013-09-30

    Abstract: 本发明公开了一种以碳纳米管作为离子发射剂的硼同位素丰度测量方法,包括:(1)制样:碳纳米管悬浊液配制、生成剂溶液配制、铼带预处理;(2)涂样:将预处理后的双带插件的其中一条铼带制成样品带,与电离带一起装到样品转盘上待测;(3)样品测量:将装好带的转盘送入离子源中,开启质谱仪,对样品带和电离带进行升温处理,当出现离子流时,开始数据采集。本发明采用了碳纳米管作为离子发射剂,并通过优化使用碳纳米管作为离子发射剂时的制样方法、涂样技术、测量条件,使硼离子发射强度、电离效率明显提高,离子流稳定性也有所改善,同时也提高了测量精度、降低涂样量及测试温度。

    一种以碳纳米管作为离子发射剂的铀同位素丰度测量方法

    公开(公告)号:CN103033555A

    公开(公告)日:2013-04-10

    申请号:CN201210538112.3

    申请日:2012-12-13

    Abstract: 本发明公开了一种以碳纳米管作为离子发射剂的铀同位素丰度测量方法,包括:(1)制样:碳纳米管悬浊液配制和铼带预处理;(2)涂样:将蒸发铼带安置在涂样器上,取铀溶液滴于蒸发铼带上,烘干后降至室温;取碳纳米管悬浊液涂覆在铀样品上,烘干蒸发铼带,待其降至室温后装入转盘;(3)样品测量:将转盘送入离子源中,开启质谱仪,待产生的离子流信号强度最大且信号最为平稳时,稳定3~5min,开始铀同位素丰度测量数据采集。本发明采用碳纳米管作为铀同位素丰度测量的离子发射剂,以改善热电离质谱测量痕量铀样品的离子发射性能;通过优化碳纳米管作为发射剂使用的烧带,制样和测试等实验条件,建立起一种痕量铀同位素丰度测量的新方法。

    一种以碳纳米管作为离子发射剂的硼同位素丰度测量方法

    公开(公告)号:CN103487497A

    公开(公告)日:2014-01-01

    申请号:CN201310455957.0

    申请日:2013-09-30

    Abstract: 本发明公开了一种以碳纳米管作为离子发射剂的硼同位素丰度测量方法,包括:(1)制样:碳纳米管悬浊液配制、生成剂溶液配制、铼带预处理;(2)涂样:将预处理后的双带插件的其中一条铼带制成样品带,与电离带一起装到样品转盘上待测;(3)样品测量:将装好带的转盘送入离子源中,开启质谱仪,对样品带和电离带进行升温处理,当出现离子流时,开始数据采集。本发明采用了碳纳米管作为离子发射剂,并通过优化使用碳纳米管作为离子发射剂时的制样方法、涂样技术、测量条件,使硼离子发射强度、电离效率明显提高,离子流稳定性也有所改善,同时也提高了测量精度、降低涂样量及测试温度。

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