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公开(公告)号：CN101550600B
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200910082049.5
申请日：2009-04-22
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 本发明涉及一种氮化硅低维纳米材料阵列的制备方法，属于材料制备技术领域。所述材料为高纯度、高密度单晶α-氮化硅纳米线阵列。本发明采用热解有机前驱体方法在镀有金属催化剂的基片上合成氮化硅纳米阵列。所述制备方法包括高含氮量聚硅氮烷的低温交联固化，交联固化后的前驱体在高耐磨器具中的高能球磨粉碎，以及经交联固化和粉碎后的前驱体在保护气氛下的高温热解、蒸发和在镀有金属催化剂薄膜的基片上的沉积等步骤。所述方法，蒸发源组成可控且可调，工艺和设备简单、成本低廉，所得纳米阵列产量大、密度高、纯度高、组成和形貌可控，有望用于制备高质量氮化硅纳米光电子器件。本发明也可用于其他材料纳米阵列的制备和纳米光电子器件开发。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101603207A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200910089460.5
申请日：2009-07-21
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 本发明涉及一种网络状分枝氮化硅单晶纳米结构的制备方法，属于材料制备技术领域。所述材料为高纯度的网络状分枝α－氮化硅纳米结构。本发明采用热解有机前驱体方法在镀有金属催化剂的基片上合成网络状分枝氮化硅单晶纳米结构。含有步骤：(1)高含硅氮含量聚硅氮烷在160－300℃下的低温交联固化；(2)交联固化后的非晶固体在高耐磨器具中高能球磨粉碎；(3)高能球磨后得到的前驱体粉末在保护气氛下的快速高温热解、蒸发和在镀有金属催化剂薄膜的基片上的沉积。所述方法，蒸发源组成可控且可调，工艺和设备简单、成本低廉，所得网络状分枝结构产量大、纯度高，可用作高性能纳米复合材料中的增强增韧剂，同时还可于制作纳电子器件。
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公开(公告)号：CN101609735B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200910089459.2
申请日：2009-07-21
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 本发明涉及一种以Si3N4为内核、SiO2为外壳的Si3N4/SiO2同轴纳米电缆阵列的高纯度、高密度、高产率的制备方法，属于材料制备技术领域。本发明采用热解有机前驱体在镀有金属催化剂的基片上合成Si3N4/SiO2同轴纳米电缆阵列。含有步骤(1)高含氮量的聚硅氮烷在160-300℃下的低温交联固化，得到半透明的非晶SiCN固体；(2)交联固化后的非晶SiCN固体在高耐磨器具中的高能球磨、粉碎；(3)高能球磨后得到的前驱体粉末在含有一定量氧气的载气保护下的高温热解、蒸发，并在镀有金属催化剂薄膜的基片上沉积得到所述的结构。所述方法合成工艺和设备简单，工艺参数可控性强，成本低廉，所得Si3N4/SiO2同轴纳米电缆生长有序，产量大、密度高、纯度高且直径分布均匀。所合成的同轴纳米电缆结构在原子力显微镜、近场光学显微镜、纳米力学探针和新型纳米复合材料增强剂等方面有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN101603207B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200910089460.5
申请日：2009-07-21
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 本发明涉及一种网络状分枝氮化硅单晶纳米结构的制备方法，属于材料制备技术领域。所述材料为高纯度的网络状分枝α-氮化硅纳米结构。本发明采用热解有机前驱体方法在镀有金属催化剂的基片上合成网络状分枝氮化硅单晶纳米结构。含有步骤：(1)高含硅氮含量聚硅氮烷在160-300℃下的低温交联固化；(2)交联固化后的非晶固体在高耐磨器具中高能球磨粉碎；(3)高能球磨后得到的前驱体粉末在保护气氛下的快速高温热解、蒸发和在镀有金属催化剂薄膜的基片上的沉积。所述方法，蒸发源组成可控且可调，工艺和设备简单、成本低廉，所得网络状分枝结构产量大、纯度高，可用作高性能纳米复合材料中的增强增韧剂，同时还可于制作纳电子器件。
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公开(公告)号：CN101550600A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910082049.5
申请日：2009-04-22
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 本发明涉及一种氮化硅低维纳米材料阵列的制备方法，属于材料制备技术领域。所述材料为高纯度、高密度单晶α－氮化硅纳米线阵列。本发明采用热解有机前驱体方法在镀有金属催化剂的基片上合成氮化硅纳米阵列。所述制备方法包括高含氮量聚硅氮烷的低温交联固化，交联固化后的前驱体在高耐磨器具中的高能球磨粉碎，以及经交联固化和粉碎后的前驱体在保护气氛下的高温热解、蒸发和在镀有金属催化剂薄膜的基片上的沉积等步骤。所述方法，蒸发源组成可控且可调，工艺和设备简单、成本低廉，所得纳米阵列产量大、密度高、纯度高、组成和形貌可控，有望用于制备高质量氮化硅纳米光电子器件。本发明也可用于其他材料纳米阵列的制备和纳米光电子器件开发。
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公开(公告)号：CN101609735A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200910089459.2
申请日：2009-07-21
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 本发明涉及一种高纯度、高密度、高产率的Si3N4/SiO2同轴纳米电缆阵列的制备方法，属于材料制备技术领域。本发明采用热解有机前驱体在镀有金属催化剂的基片上合成Si3N4/SiO2同轴纳米电缆阵列。含有步骤(1)高含氮量的聚硅氮烷在160－300℃下的低温交联固化，得到半透明的非晶SiCN固体；(2)交联固化后的非晶SiCN固体在高耐磨器具中的高能球磨、粉碎；(3)高能球磨后得到的前驱体粉末在含有一定量氧气的载气保护下的高温热解、蒸发，并在镀有金属催化剂薄膜的基片上沉积得到所述的结构。所述方法合成工艺和设备简单，工艺参数可控性强，成本低廉，所得Si3N4/SiO2同轴纳米电缆生长有序，产量大、密度高、纯度高且直径分布均匀。所合成的同轴纳米电缆结构在原子力显微镜、近场光学显微镜、纳米力学探针和新型纳米复合材料增强剂等方面有广泛的应用前景。
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