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公开(公告)号：CN108091614A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201611044047.3
申请日：2016-11-23
Applicant: 南方电网科学研究院有限责任公司 , 中国南方电网有限责任公司电网技术研究中心 , 株洲中车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体器件封装结构及其封装方法，涉及微电子技术领域，能够降低半导体器件的封装复杂度，同时降低半导体器件的热阻和导通压降。所述半导体器件封装结构包括管盖和管座，管盖盖于管座上，管盖的下表面焊接有多个第一电极钼片，管座的上表面焊接有多个第二电极钼片，多个第二电极钼片与多个第一电极钼片一一对应；还包括多个芯片和多个定位框架，定位框架用于对芯片进行定位；多个芯片与多个第一电极钼片一一对应；芯片位于第一电极钼片和第二电极钼片之间，且芯片与第一电极钼片和第二电极钼片均贴合。本发明用于半导体器件封装。
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公开(公告)号：CN108091637A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201611046882.0
申请日：2016-11-23
Applicant: 南方电网科学研究院有限责任公司 , 中国南方电网有限责任公司电网技术研究中心 , 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/552 , H01L23/02
Abstract: 本发明公开了一种IGBT模块管壳及其制作方法，涉及IGBT模块技术领域，可在提升防宇宙射线能力的前提下便于IGBT模块的使用。该IGBT模块管壳包括本体，所述本体上设有防宇宙射线能力强于所述本体的防宇宙射线物质。本发明IGBT模块管壳用于防止高能射线对IGBT芯片的轰击。
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公开(公告)号：CN105957888A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610494974.9
申请日：2016-06-27
Applicant: 中国南方电网有限责任公司电网技术研究中心 , 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/423 , H01L23/488
CPC classification number: H01L29/7395 , H01L23/488 , H01L29/423
Abstract: 本发明的实施例提供一种压接式IGBT子模组和IGBT模块封装结构，涉及电力技术领域，能够降低因IGBT子模组个数较多时因弹簧针接触不良而造成的失效概率。IGBT子模组，包括：IGBT芯片；发射极钼片，所述发射极钼片的一面与所述IGBT芯片的发射极的部分相接触；集电极钼片，所述集电极钼片的一面与所述IGBT芯片的集电极接触；栅极连接件，所述栅极连接件的一端为自由端，并与所述IGBT芯片的栅极接触；定位件，用于固定所述IGBT芯片、所述发射极钼片、所述集电极钼片和所述栅极连接件；所述栅极连接件的另一端固定连接于所述IGBT模块封装结构的PCB电路板上。
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公开(公告)号：CN105957861B
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201610480973.9
申请日：2016-06-24
Applicant: 中国南方电网有限责任公司电网技术研究中心 , 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/04 , H01L23/488
Abstract: 本发明的实施例提供一种芯片模块封装结构，涉及电力技术领域，能够简化工艺过程，可缩短封装时间，降低生产成本。芯片模块封装结构，包括：多个芯片；定位件，所述定位件上设置有阵列分布的孔洞单元，每个所述孔洞单元用于固定一个所述芯片；壳体，所述壳体包括顶壳、中环和底壳，所述顶壳和底壳的边缘分别与所述中环的上下开口接合，所述顶壳上固定设置有多个第一钼片，所述第一钼片与孔洞单元的位置对应，所述第一钼片的一面与所述芯片的第一极接触；多个凸台，所述凸台设置于所述壳体的底壳上，所述凸台上固定设置有所述第二钼片，所述第二钼片的一面与所述芯片的第二极接触。
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公开(公告)号：CN105957861A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610480973.9
申请日：2016-06-24
Applicant: 中国南方电网有限责任公司电网技术研究中心 , 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/04 , H01L23/488
CPC classification number: H01L25/072 , H01L23/041 , H01L23/488
Abstract: 本发明的实施例提供一种芯片模块封装结构，涉及电力技术领域，能够简化工艺过程，可缩短封装时间，降低生产成本。芯片模块封装结构，包括：多个芯片；定位件，所述定位件上设置有阵列分布的孔洞单元，每个所述孔洞单元用于固定一个所述芯片；壳体，所述壳体包括顶壳、中环和底壳，所述顶壳和底壳的边缘分别与所述中环的上下开口接合，所述顶壳上固定设置有多个第一钼片，所述第一钼片与孔洞单元的位置对应，所述第一钼片的一面与所述芯片的第一极接触；多个凸台，所述凸台设置于所述壳体的底壳上，所述凸台上固定设置有所述第二钼片，所述第二钼片的一面与所述芯片的第二极接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN205723548U
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201620667076.4
申请日：2016-06-27
Applicant: 中国南方电网有限责任公司电网技术研究中心 , 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/423 , H01L23/488
Abstract: 本实用新型的实施例提供一种压接式IGBT子模组和IGBT模块封装结构，涉及电力技术领域，能够降低因IGBT子模组个数较多时因弹簧针接触不良而造成的失效概率。IGBT子模组，包括：IGBT芯片；发射极钼片，所述发射极钼片的一面与所述IGBT芯片的发射极的部分相接触；集电极钼片，所述集电极钼片的一面与所述IGBT芯片的集电极接触；栅极连接件，所述栅极连接件的一端为自由端，并与所述IGBT芯片的栅极接触；定位件，用于固定所述IGBT芯片、所述发射极钼片、所述集电极钼片和所述栅极连接件；所述栅极连接件的另一端固定连接于所述IGBT模块封装结构的PCB电路板上。
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公开(公告)号：CN206163475U
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201621265537.1
申请日：2016-11-23
Applicant: 南方电网科学研究院有限责任公司 , 中国南方电网有限责任公司电网技术研究中心 , 株洲中车时代电气股份有限公司
Abstract: 本实用新型实施例提供一种半导体器件封装结构，涉及微电子技术领域，能够降低半导体器件的封装复杂度，同时降低半导体器件的热阻和导通压降。所述半导体器件封装结构包括管盖和管座，管盖盖于管座上，管盖的下表面焊接有多个第一电极钼片，管座的上表面焊接有多个第二电极钼片，多个第二电极钼片与多个第一电极钼片一一对应；还包括多个芯片和多个定位框架，定位框架用于对芯片进行定位；多个芯片与多个第一电极钼片一一对应；芯片位于第一电极钼片和第二电极钼片之间，且芯片与第一电极钼片和第二电极钼片均贴合。本实用新型用于半导体器件封装。
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公开(公告)号：CN205752165U
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201620659669.6
申请日：2016-06-24
Applicant: 中国南方电网有限责任公司电网技术研究中心 , 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/04 , H01L23/488
Abstract: 本实用新型的实施例提供一种芯片模块封装结构，涉及电力技术领域，能够简化工艺过程，可缩短封装时间，降低生产成本。芯片模块封装结构，包括：多个芯片；定位件，所述定位件上设置有阵列分布的孔洞单元，每个所述孔洞单元用于固定一个所述芯片；壳体，所述壳体包括顶壳、中环和底壳，所述顶壳和底壳的边缘分别与所述中环的上下开口接合，所述顶壳上固定设置有多个第一钼片，所述第一钼片与孔洞单元的位置对应，所述第一钼片的一面与所述芯片的第一极接触；多个凸台，所述凸台设置于所述壳体的底壳上，所述凸台上固定设置有所述第二钼片，所述第二钼片的一面与所述芯片的第二极接触。
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公开(公告)号：CN206148426U
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201621267986.X
申请日：2016-11-23
Applicant: 南方电网科学研究院有限责任公司 , 中国南方电网有限责任公司电网技术研究中心 , 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/552 , H01L23/02
Abstract: 本实用新型公开了一种IGBT模块管壳，涉及IGBT模块技术领域，可在提升防宇宙射线能力的前提下便于IGBT模块的使用。该IGBT模块管壳包括本体，所述本体上设有防宇宙射线能力强于所述本体的防宇宙射线物质。本实用新型IGBT模块管壳用于防止高能射线对IGBT芯片的轰击。
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公开(公告)号：CN105488262B
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201510830506.X
申请日：2015-11-25
Applicant: 南方电网科学研究院有限责任公司 , 华北电力大学 , 中国南方电网有限责任公司电网技术研究中心
IPC: G06F17/50
Abstract: 一种宽频直流电力电阻器的设计方法及系统，包括：根据电力电阻器的几何参数确定电力电阻器的当前电容值及当前电感值；根据当前电容值、当前电感值、预设频率及预设电阻值，确定电力电阻器在预设频率时的阻抗；确定阻抗与预设电阻值的偏差，并判断偏差是否小于预设偏差；当判断结果为偏差小于预设偏差时，将电力电阻器的几何参数作为电力电阻器的设计参数；当判断结果为偏差不小于预设偏差时，根据阻抗、预设电阻值及几何参数对几何参数进行修改，并将修改后的几何参数作为电力电阻的设计参数。上述宽频直流电力电阻器的设计方法及系统，能够保证电力电阻器在预设频率时的阻抗与预设电阻值的偏差在小于预设偏差的范围内。
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