公开(公告)号：CN111562246B

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202010610983.6

申请日：2020-06-29

Applicant: 中南林业科技大学

Inventor： 王琼 ,  黄自知 ,  陈秋菊 ,  文瑞芝 ,  袁丽萍 ,  胡云楚

IPC: G01N21/64 ,  C09K11/02 ,  C09K11/88 ,  C09K11/56 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种光辐照Mn:ZnSe@ZnS量子点光电传感器，从下至上，依次包括导电玻璃基底、TiO2层、PDDA层和Mn:ZnSe@ZnS核壳量子点修饰层，所述核壳量子点的“核”为Mn掺杂的ZnSe量子点，“壳”为采用紫外光辐照L‑半胱氨酸释放S2‑形成的ZnS。其制备方法为：先制备FTO/TiO2电极，再将PDDA溶液滴涂在FTO/TiO2电极表面形成FTO/TiO2/PDDA电极，最后滴涂Mn:ZnSe@ZnS核壳量子点溶液，烘干，制成光电传感器。本发明的光电传感器检测pH范围宽(pH＝5.5～13.4)，电极在不同pH条件下光电流稳定，中碱性溶液中光电流能进一步增强，实现了铅离子在中性和强碱性溶液中简单、准确、环保的定量分析检测，检测限降低到3.2nM，检测时间缩短至10s内。

公开(公告)号：CN111562246A

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN202010610983.6

申请日：2020-06-29

Applicant: 中南林业科技大学

Inventor： 王琼 ,  黄自知 ,  陈秋菊 ,  文瑞芝 ,  袁丽萍 ,  胡云楚

IPC: G01N21/64 ,  C09K11/02 ,  C09K11/88 ,  C09K11/56 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种光辐照Mn:ZnSe@ZnS量子点光电传感器，从下至上，依次包括导电玻璃基底、TiO2层、PDDA层和Mn:ZnSe@ZnS核壳量子点修饰层，所述核壳量子点的“核”为Mn掺杂的ZnSe量子点，“壳”为采用紫外光辐照L-半胱氨酸释放S2-形成的ZnS。其制备方法为：先制备FTO/TiO2电极，再将PDDA溶液滴涂在FTO/TiO2电极表面形成FTO/TiO2/PDDA电极，最后滴涂Mn:ZnSe@ZnS核壳量子点溶液，烘干，制成光电传感器。本发明的光电传感器检测pH范围宽(pH＝5.5～13.4)，电极在不同pH条件下光电流稳定，中碱性溶液中光电流能进一步增强，实现了铅离子在中性和强碱性溶液中简单、准确、环保的定量分析检测，检测限降低到3.2nM，检测时间缩短至10s内。