公开(公告)号：CN103074624B

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201210558837.9

申请日：2012-12-20

Applicant: 中南大学

Inventor： 熊玉明 ,  李松林 ,  王磊 ,  熊翔

IPC: C23C24/04 ,  C04B35/624 ,  C04B35/628

Abstract: 本发明提供了一种冷喷涂制备氧化锆/氧化铈陶瓷涂层的方法；属于冷喷涂陶瓷涂层制备技术领域。本发明通过下述方案实现：将ZrO2与CeO2粉末按摩尔比为3-10：1混料后进行干式球磨，得到平均晶粒尺寸为10-15nm、非晶粉末占ZrO2与CeO2粉末总摩尔质量的5-20%的混合粉末，再将混合粉末在300-400℃预热后冷喷涂在基体材料表面，得到陶瓷涂层；冷喷涂的条件为：以氮气或氦气为工作气体，工作气体温度在350-550℃，压力为10-29大气压；喷枪出口处距沉积基体材料表面距离为30-50mm。本发明一改以往通常需要添加塑性金属等填料才能获得冷喷涂陶瓷复合涂层的惯常做法，借助陶瓷粉末的纳米化和非晶化技术，最终获得孔隙率低于1.2%，沉积效率高于40%，涂层界面结合强度位于30-55MPa的ZrO2/CeO2陶瓷涂层。本发明工艺简单，适于工业化生产。

公开(公告)号：CN103074624A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201210558837.9

申请日：2012-12-20

Applicant: 中南大学

Inventor： 熊玉明 ,  李松林 ,  王磊 ,  熊翔

IPC: C23C24/04 ,  C04B35/624 ,  C04B35/628

Abstract: 本发明提供了一种冷喷涂制备氧化锆/氧化铈陶瓷涂层的方法；属于冷喷涂陶瓷涂层制备技术领域。本发明通过下述方案实现：将ZrO2与CeO2粉末按摩尔比为3-10：1混料后进行干式球磨，得到平均晶粒尺寸为10-15nm、非晶粉末占ZrO2与CeO2粉末总摩尔质量的5-20%的混合粉末，再将混合粉末在300-400℃预热后冷喷涂在基体材料表面，得到陶瓷涂层；冷喷涂的条件为：以氮气或氦气为工作气体，工作气体温度在350-550℃，压力为10-29大气压；喷枪出口处距沉积基体材料表面距离为30-50mm。本发明一改以往通常需要添加塑性金属等填料才能获得冷喷涂陶瓷复合涂层的惯常做法，借助陶瓷粉末的纳米化和非晶化技术，最终获得孔隙率低于1.2%，沉积效率高于40%，涂层界面结合强度位于30-55MPa的ZrO2/CeO2陶瓷涂层。本发明工艺简单，适于工业化生产。