Patent search ap:("东阳特克尼卡株式会社" OR "夏普株式会社") AND inv:"佐佐木邦彦" Page 1

1.

发明授权
TFT 液晶面板的物理性质测量方法及TFT 液晶面板的物理性质测量装置有权转让

公开(公告)号：CN104181711B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410202980.3

申请日：2008-01-16

Applicant: 东阳特克尼卡株式会社 , 夏普株式会社

Inventor： 井上胜 , 佐佐木邦彦 , 栗原直 , 久米康仁

IPC: G02F1/13

CPC classification number: G02F1/1309 , G02F2001/136254 , G09G3/006 , G09G3/3648

Abstract: 本发明提供一种TFT液晶面板的物理性质测量方法，是TFT液晶面板(4，400)的物理性质测量方法，其具有：阻抗设定步骤(步骤S1、步骤S11、步骤S12)，将所述TFT液晶面板(4，400)的TFT(4A，400A)的源极(42A，420A)‑漏极(43A，430A)间的阻抗值设定为规定值以下的值；电压施加步骤(步骤S2、步骤S13)，对所述TFT液晶面板(4，400)的液晶层(4B、400B)施加周期性地变化的电压；物理性质测量步骤(步骤S3、步骤S4、步骤S14、步骤S15)，测量在利用所述电压施加步骤(步骤S2、步骤S13)施加了所述周期性地变化的电压的所述液晶层(4B、400B)中流过的过渡电流，测量所述液晶层(4B、400B)的物理性质。

2.

发明授权
TFT液晶面板的物理性质测量方法及TFT液晶面板的物理性质测量装置有权转让

公开(公告)号：CN101589338B

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN200880003082.8

申请日：2008-01-16

Applicant: 东阳特克尼卡株式会社 , 夏普株式会社

Inventor： 井上胜 , 佐佐木邦彦 , 栗原直 , 久米康仁

IPC: G02F1/1368 , G02F1/13

CPC classification number: G02F1/1309 , G02F2001/136254 , G09G3/006 , G09G3/3648

Abstract: 本发明提供一种TFT液晶面板的物理性质测量方法，是TFT液晶面板(4，400)的物理性质测量方法，其具有：阻抗设定步骤(步骤S1、步骤S11、步骤S12)，将所述TFT液晶面板(4，400)的TFT(4A，400A)的源极(42A，420A)-漏极(43A，430A)间的阻抗值设定为规定值以下的值；电压施加步骤(步骤S2、步骤S13)，对所述TFT液晶面板(4，400)的液晶层(4B、400B)施加周期性地变化的电压；物理性质测量步骤(步骤S3、步骤S4、步骤S14、步骤S15)，测量在利用所述电压施加步骤(步骤S2、步骤S13)施加了所述周期性地变化的电压的所述液晶层(4B、400B)中流过的过渡电流，测量所述液晶层(4B、400B)的物理性质。

3.

发明公开
TFT液晶面板的物理性质测量方法及TFT液晶面板的物理性质测量装置有权转让

公开(公告)号：CN104181711A

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201410202980.3

申请日：2008-01-16

Applicant: 东阳特克尼卡株式会社 , 夏普株式会社

Inventor： 井上胜 , 佐佐木邦彦 , 栗原直 , 久米康仁

IPC: G02F1/13

CPC classification number: G02F1/1309 , G02F2001/136254 , G09G3/006 , G09G3/3648

Abstract: 本发明提供一种TFT液晶面板的物理性质测量方法，是TFT液晶面板(4，400)的物理性质测量方法，其具有：阻抗设定步骤(步骤S1、步骤S11、步骤S12)，将所述TFT液晶面板(4，400)的TFT(4A，400A)的源极(42A，420A)-漏极(43A，430A)间的阻抗值设定为规定值以下的值；电压施加步骤(步骤S2、步骤S13)，对所述TFT液晶面板(4，400)的液晶层(4B、400B)施加周期性地变化的电压；物理性质测量步骤(步骤S3、步骤S4、步骤S14、步骤S15)，测量在利用所述电压施加步骤(步骤S2、步骤S13)施加了所述周期性地变化的电压的所述液晶层(4B、400B)中流过的过渡电流，测量所述液晶层(4B、400B)的物理性质。

4.

发明公开
TFT液晶面板的物理性质测量方法及TFT液晶面板的物理性质测量装置有权转让

公开(公告)号：CN101589338A

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200880003082.8

申请日：2008-01-16

Applicant: 东阳特克尼卡株式会社 , 夏普株式会社

Inventor： 井上胜 , 佐佐木邦彦 , 栗原直 , 久米康仁

IPC: G02F1/1368 , G02F1/13

CPC classification number: G02F1/1309 , G02F2001/136254 , G09G3/006 , G09G3/3648

Abstract: 本发明提供一种TFT液晶面板的物理性质测量方法，是TFT液晶面板(4，400)的物理性质测量方法，其具有：阻抗设定步骤(步骤S1、步骤S11、步骤S12)，将所述TFT液晶面板(4，400)的TFT(4A，400A)的源极(42A，420A)-漏极(43A，430A)间的阻抗值设定为规定值以下的值；电压施加步骤(步骤S2、步骤S13)，对所述TFT液晶面板(4，400)的液晶层(4B、400B)施加周期性地变化的电压；物理性质测量步骤(步骤S3、步骤S4、步骤S14、步骤S15)，测量在利用所述电压施加步骤(步骤S2、步骤S13)施加了所述周期性地变化的电压的所述液晶层(4B、400B)中流过的过渡电流，测量所述液晶层(4B、400B)的物理性质。

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