公开(公告)号：CN1527387A

公开(公告)日：2004-09-08

申请号：CN03158280.X

申请日：2003-09-22

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  易扬波 ,  孙智林 ,  时龙兴

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  G09G3/28

Abstract: 平板显示器行扫描驱动芯片用的高压器件结构含P型衬底，衬底上有高压P型横向MOS管和纵向管，其间设深P型隔离环，纵向管含衬底上的N型重掺杂埋层，埋层上有N型外延层，外延层上设场氧化层，外延层上设P型阱，P型阱内设N型源和P型接触层，埋层上设深N型连接层，连接层上方设N型漏，N型漏及接触层位于场氧两侧，外延层上方设多晶硅栅，在多晶硅栅与外延层之间设栅氧，场氧、接触层及多晶硅栅上方设氧化层。方法：P型衬底制N埋层；生长N外延；制隔离环和连接层；外延上制P管P漂，制N管P型阱、P型场限环和P管的N阱和P型缓冲层，P型场限环位于场氧下方；长场氧；制P管厚栅氧及N管薄栅氧；氧化层制多晶硅栅和P管场极板。

公开(公告)号：CN1270382C

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN03158280.X

申请日：2003-09-22

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  易扬波 ,  孙智林 ,  时龙兴

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  G09G3/28

Abstract: 平板显示器行扫描驱动芯片用的高压器件结构含P型衬底，上有高压P型横向管和纵向管，其间设深P型隔离环；纵向管含衬底上的上有N型外延层的N型重掺杂埋层，外延层上设场氧化层、P型阱，P型阱内设N型源区和P型接触层；埋层上设深N型连接层，连接层上方设N型漏区及接触层位于场氧化层两侧；外延层上设多晶硅栅，其与外延层之间设栅氧化层，场氧化层、接触层及多晶硅栅上方设氧化层。方法：P型衬底制N型埋层；生长N外延层；制隔离环和连接层；外延层上制P管P型漂移区，制N管P型阱、P型场限环和P管的N型阱和P型缓冲层，P型场限环位于场氧化层下方；长场氧化层；制P管厚栅氧化层及N管薄栅氧化层；氧化层制多晶硅栅和P管场极板。

公开(公告)号：CN1212674C

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN03112627.8

申请日：2003-01-08

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  陆生礼 ,  易扬波 ,  孙智林 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种横向缓冲P型金属氧化物半导体管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有N型外延层，在N型外延层上设有P型漂移区、源、N型外延接触孔和场氧化层，在P型漂移区上设有漏和另一场氧化层，在场氧化层、N型外延接触孔、源、N型外延层、另一场氧化层和漏上设有栅氧化层，在栅氧化层上设有多晶栅，在栅氧化层和多晶栅上设有氧化层，在N型外延接触孔及源、多晶栅和漏上分别设有铝引线，在P型漂移区和漏之间设有P型缓冲层。本发明引入了P型缓冲层，P型缓冲层可以减小漏区的电场曲率、降低漏极电流聚集，从而减少漏极碰撞电离和二次击穿现象，提高击穿电压；P型缓冲层还可以降低导通电阻，从而增大工作电流。

公开(公告)号：CN1424770A

公开(公告)日：2003-06-18

申请号：CN03112627.8

申请日：2003-01-08

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  陆生礼 ,  易扬波 ,  孙智林 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种横向缓冲P型金属氧化物半导体管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有N型外延层，在N型外延层上设有P型漂移区、源、N型外延接触孔和场氧化层，在P型漂移区上设有漏和另一场氧化层，在场氧化层、N型外延接触孔、源、N型外延层、另一场氧化层和漏上设有栅氧化层，在栅氧化层上设有多晶栅，在栅氧化层和多晶栅上设有氧化层，在N型外延接触孔及源、多晶栅和漏上分别设有铝引线，在P型漂移区和漏之间设有P型缓冲层。本发明引入了P型缓冲层，P型缓冲层可以减小漏区的电场曲率、降低漏极电流聚集，从而减少漏极碰撞电离和二次击穿现象，提高击穿电压；P型缓冲层还可以降低导通电阻，从而增大工作电流。