公开(公告)号：CN111525790B

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN202010219641.1

申请日：2020-03-25

Applicant: 东南大学

Inventor： 周怡鑫 ,  王科平 ,  王志功

IPC: H02M3/07

Abstract: 本发明公开了一种电荷泵电路，一种电荷泵电路，包括第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第三NMOS管M3、第四NMOS管M4、第五NMOS管M5、第六NMOS管M6、第七NMOS管M7、第八NMOS管M8、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5、第六电容C6和输出电容COUT。通过不同相位的时钟信号控制NMOS管的状态，有效避免了反向损耗，改善了电荷泵的工作效率和电流驱动能力；其中电荷泵电路中NMOS管的衬底端可统一连接至特定电位，使得衬底二极管的反向击穿电压增大，从而提升电荷泵可承受的最大输出电压。

公开(公告)号：CN111525790A

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN202010219641.1

申请日：2020-03-25

Applicant: 东南大学

Inventor： 周怡鑫 ,  王科平 ,  王志功

IPC: H02M3/07

Abstract: 本发明公开了一种电荷泵电路，一种电荷泵电路，包括第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第三NMOS管M3、第四NMOS管M4、第五NMOS管M5、第六NMOS管M6、第七NMOS管M7、第八NMOS管M8、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5、第六电容C6和输出电容COUT。通过不同相位的时钟信号控制NMOS管的状态，有效避免了反向损耗，改善了电荷泵的工作效率和电流驱动能力；其中电荷泵电路中NMOS管的衬底端可统一连接至特定电位，使得衬底二极管的反向击穿电压增大，从而提升电荷泵可承受的最大输出电压。