公开(公告)号：CN115800846A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202211562609.9

申请日：2022-12-07

Applicant: 东南大学

Inventor： 阳辉 ,  伊禹名 ,  林鹤云

IPC: H02P21/00 ,  H02P21/14 ,  H02P21/22 ,  H02P27/08 ,  H02M7/537

Abstract: 本发明公开了零序调磁型记忆电机用单电源驱动双逆变器的拓扑结构，涉及记忆电机技术领域。本发明包括第一，二电压源逆变器，所述电路拓扑连接方式为：输入电源直接接到第一电压源逆变器的直流母线上，输入电源或电容器根据运行需求接到第二电压源逆变器的直流母线上，第一，二电压源逆变器的输出同时为零序调磁型记忆电机供电。本发明在零序调磁型记忆电机进行瞬态调磁时向其提供零序电流，真正实现了调磁功能与驱动功能的隔离，同时与传统直流调磁型记忆电机相比无需额外的直流电源，节约了成本；在零序调磁型记忆电机进行稳态运行时切断零序通路，从根本上解决了记忆电机的共性问题，即正常运行时易出现低矫顽力永磁体的磁化和退磁现象。

公开(公告)号：CN116232169A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202310229440.3

申请日：2023-03-10

Applicant: 东南大学

Inventor： 阳辉 ,  伊禹名 ,  林鹤云

IPC: H02P27/06 ,  H02P21/22 ,  H02M7/5387 ,  H02M1/088

Abstract: 本发明属于电机技术领域，公开零序调磁型记忆电机用三相四桥臂型驱动调磁集成拓扑，所述拓扑结构包括第一电压源逆变器、单相桥臂以及零序调磁型记忆电机三相电机绕组；所述拓扑连接方式为：输入电源直接接到第一电压源逆变器与单相桥臂的直流母线上，三相电机绕组打开的三个端口与第一电压源逆变器相连，零序调磁型记忆电机三相电机绕组闭合端形成的中性点与单相桥臂相连。本发明所述零序调磁型记忆电机是通过零序电流的幅值和方向改变低矫顽力永磁体的磁化状态。本发明通过将电机中性点与单相桥臂连接以提供零序通路，通过控制单相桥臂的开关情况控制零序电流的幅值和方向。本发明与传统直流调磁型记忆电机的调磁方法相比省去了直流电源。

公开(公告)号：CN115913016A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211617590.3

申请日：2022-12-15

Applicant: 东南大学

Inventor： 阳辉 ,  伊禹名 ,  林鹤云

IPC: H02P21/00 ,  H02P27/06 ,  H02M1/00

Abstract: 本发明属于电机技术领域，公开一种基于特定零矢量分配的直流调磁型记忆电机调磁方法，该调磁方法是在直流调磁型记忆电机进行瞬态调磁时，采用180°解耦电压分配方式将施加在所述直流调磁型记忆电机的电压矢量拆分成幅值相同、相位相反的两个小电压矢量，并用两个电压源逆变器分别合成这两个小电压矢量；对两个小电压矢量调制做出零矢量重新分配的改变，使得施加在调磁绕组上电压值恒定，控制H桥电路对所述调磁绕组施加正向或反向直流电压，对所述直流调磁型记忆电机中永磁体进行充磁或去磁操作。解决传统直流调磁型记忆电机需要额外直流电源且该直流电源利用率较低的问题，保证直流调磁型记忆电机稳态运行时不会出现磁化或退磁现象。

公开(公告)号：CN113258759A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN202110524201.1

申请日：2021-05-13

Applicant: 东南大学

Inventor： 龚春伟 ,  伊禹名 ,  冯开源 ,  王伟

IPC: H02M1/32 ,  H02M7/5387 ,  H02P25/16

Abstract: 本发明涉及电机驱动与控制技术领域，公开了一种容错IGBT三相全桥逆变电路的控制方法，通过电流采集模块实时采集各个IGBT工作电流，如果某个IGBT损坏不能正常工作，那么通过电流采集模块检测到的开路桥臂的电流为0，此时信号处理模块自动采集所有开路桥臂的电流状况，并实时反馈给单片机控制模块，单片机控制模块通过预定的程序来打开相应的SCR，完成IGBT的转换，保证工作电路的正常运行。