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公开(公告)号：CN114598229B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202210351852.X
申请日：2022-04-02
Abstract: 本发明公开一种用于记忆电机系统的Boost电路升压控制策略，该方法通过控制记忆电机三相逆变器前级的Boost升压电路，保证调磁成功，当接收到调磁指令时，根据调磁电流轨迹、调磁电流指令值以及调磁时间等，计算调磁所需电压Ums，若其小于直流母线电压Udc1，则控制Boost升压电路开关管占空比D为0，即不需要升压；若Ums大于直流母线电压Udc1，则需调节开关管占空比D为1‑Udc1/Ums，保证Boost升压电路的输出电压大于调磁所需电压。本发明方法能够根据调磁需要，自适应地提高Boost电路输出的直流电压，来保证记忆电机运行在高速区时也能有足够的电压完成调磁。
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公开(公告)号：CN114598229A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210351852.X
申请日：2022-04-02
Abstract: 本发明公开一种用于记忆电机系统的Boost电路升压控制策略，该方法通过控制记忆电机三相逆变器前级的Boost升压电路，保证调磁成功，当接收到调磁指令时，根据调磁电流轨迹、调磁电流指令值以及调磁时间等，计算调磁所需电压Ums，若其小于直流母线电压Udc1，则控制Boost升压电路开关管占空比D为0，即不需要升压；若Ums大于直流母线电压Udc1，则需调节开关管占空比D为1‑Udc1/Ums，保证Boost升压电路的输出电压大于调磁所需电压。本发明方法能够根据调磁需要，自适应地提高Boost电路输出的直流电压，来保证记忆电机运行在高速区时也能有足够的电压完成调磁。
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公开(公告)号：CN112671297B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202110043905.7
申请日：2021-01-13
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种适用于记忆电机的转子位置零位偏差在线校正方法，在正常工况下，能够校正编码器引起的转子位置零位偏差；该方法在初始零位θ0，以及初始零位偏移位置θ1＝θ0‑Δθ、θ2＝θ0+Δθ处，施加id1充磁电流脉冲，并记录下各次充磁后的电机磁化状态，通过比较这三个磁化状态，判断出三者中最准确的零位并更新，重复上述过程，寻找出误差最小的零位，从而实现转子位置零位偏差的校正；该种方法利用记忆电机的调磁特性，可以在不改变工况的情况下在线校正转子位置零位偏差，操作简单。
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公开(公告)号：CN112671299A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202110043890.4
申请日：2021-01-13
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种记忆电机调磁电流精确控制方法，包括调磁控制模块根据电机的实际角速度ωm，选择合适的磁化状态输出对应的梯形波d轴调磁电流脉冲idpulse进行调磁；设计dq轴前馈电流调节器，输出dq轴前馈补偿电压分量ufd和ufq；设计dq轴自抗扰电流控制器，补偿dq轴扰动电压分量udd和udq；前馈补偿电压与扰动电压分量之和为dq轴参考电压和相比基于PI控制的记忆电机交流调磁技术，本发明提高了电流轨迹的跟踪性能，可以做到无超调地快速跟踪，进而缩短了记忆电机调磁时间，降低转矩波动。
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公开(公告)号：CN112671289B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202110042312.9
申请日：2021-01-13
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种记忆电机宽速度范围调磁控制方法，该方法接收到调磁指令时，根据当前工况，包括转速n、负载电流iq等，计算出调磁指令所需要的最大动态电压Ums，选择合适的梯形波d轴充去磁电流变化率did/dt，使得Ums在母线电压所能提供的最大相电压Up范围内；当电流变化率did/dt最小，而调磁所需动态电压仍然超出母线电压时，采用改进q轴电流调节器，母线电压利用率最大化，产生的q轴电流降低了调磁所需动态电压，保证调磁的顺利进行；该种方法能够根据工况选择合适的充去磁电流变化率did/dt以及电流调节器，加快调磁速度，降低调磁损耗，且能够在更宽的速度范围内进行调磁。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113141137B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202110455454.8
申请日：2021-04-26
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于参数辨识的记忆电机控制方法，该方法设计了基于前馈解耦的自抗扰电流控制器，结合最小二乘法，在线辨识记忆电机的永磁磁链、dq轴电感；基于辨识的电感参数，实现了记忆电机不同磁化状态下的最大转矩电流比和弱磁控制以及两种控制方法之间的切换算法，且考虑了高磁化状态下的负载退磁效应；同时根据辨识的永磁磁链设计了调磁控制模块；本发明提出的控制方法，能够针对记忆电机参数变化大的特点，通过在线辨识的方法，提高控制性能，提高运行效率。
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公开(公告)号：CN112671297A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202110043905.7
申请日：2021-01-13
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种适用于记忆电机的转子位置零位偏差在线校正方法，在正常工况下，能够校正编码器引起的转子位置零位偏差；该方法在初始零位θ0，以及初始零位偏移位置θ1＝θ0‑Δθ、θ2＝θ0+Δθ处，施加id1充磁电流脉冲，并记录下各次充磁后的电机磁化状态，通过比较这三个磁化状态，判断出三者中最准确的零位并更新，重复上述过程，寻找出误差最小的零位，从而实现转子位置零位偏差的校正；该种方法利用记忆电机的调磁特性，可以在不改变工况的情况下在线校正转子位置零位偏差，操作简单。
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公开(公告)号：CN112671289A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202110042312.9
申请日：2021-01-13
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种记忆电机宽速度范围调磁控制方法，该方法接收到调磁指令时，根据当前工况，包括转速n、负载电流iq等，计算出调磁指令所需要的最大动态电压Ums，选择合适的梯形波d轴充去磁电流变化率did/dt，使得Ums在母线电压所能提供的最大相电压Up范围内；当电流变化率did/dt最小，而调磁所需动态电压仍然超出母线电压时，采用改进q轴电流调节器，母线电压利用率最大化，产生的q轴电流降低了调磁所需动态电压，保证调磁的顺利进行；该种方法能够根据工况选择合适的充去磁电流变化率did/dt以及电流调节器，加快调磁速度，降低调磁损耗，且能够在更宽的速度范围内进行调磁。
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公开(公告)号：CN115642843B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202211363837.3
申请日：2022-11-02
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于交轴电流反向的记忆电机调磁转速波动抑制方法，涉及电机控制技术领域。本发明公开了一种基于交轴电流反向的记忆电机调磁转速波动抑制方法，针对高凸极率记忆电机充磁时电磁转矩反向从而导致转速波动很大这一问题，本发明方法通过提前测量转矩反向对应的直轴电流值，当实际直轴调磁电流处于转矩反向对应电流范围内时，将转速控制器的输出反向，作为交轴电流参考值。该种方法可以避免调磁时出现负转矩(即转矩反向)，降低了转矩波动，因此大大降低了转速波动。
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公开(公告)号：CN116865614A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310367786.X
申请日：2023-04-07
Applicant: 东南大学
IPC: H02P21/13 , H02P21/14 , H02P21/05 , H02P21/00 , H02P25/022
Abstract: 本发明公开了一种基于磁链观测的记忆电机调磁转速波动抑制方法，涉及电机控制技术领域。本发明公开了一种基于磁链观测的记忆电机调磁转速波动抑制方法，本发明方法在构建磁链观测器时充分考虑了电机参数的动态变化，尤其是调磁时永磁磁链变化，以观测出更准确的定子磁链值，然后根据观测的定子磁链值和电磁转矩方程解耦得到交轴电流的参考值，并且解耦过程中考虑了分母为零而导致的发散问题。该方法能够大大降低调磁引起的转速波动，提高系统的动态性能。
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