公开(公告)号：CN113445025A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202110620178.6

申请日：2021-06-03

Applicant: 东北林业大学

Inventor： 冯伟 ,  许弋 ,  杨绪轩

IPC: C23C16/30 ,  C23C18/12 ,  H01L21/02

Abstract: 一种通过化学气相沉积制备晶圆级二维In2Se3薄膜的方法；属于晶圆级二维半导体材料薄膜制备领域。本发明要解决现有机械剥离法制备获得的二维In2Se3尺寸过小且难以控制，以及脉冲激光沉积制备成本过高、性能较差的技术问题。本发明的方法：一、配置硝酸铟溶液，过滤；二、量取步骤一所得溶液，高速旋涂于晶圆级尺寸的基底上，进行加热除杂后再受热分解，得到氧化铟薄膜，再对氧化铟薄膜进行高温退火处理；三、对氧化铟薄膜置于CVD炉中进行原位硒化处理，得到大尺寸二维In2Se3薄膜。本发明合成得到的二维In2Se3薄膜尺寸大、均匀度好、表面清洁，用于制作大面积、集成化电子和光电器件。

公开(公告)号：CN113445025B

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202110620178.6

申请日：2021-06-03

Applicant: 东北林业大学

Inventor： 冯伟 ,  许弋 ,  杨绪轩

IPC: C23C16/30 ,  C23C18/12 ,  H01L21/02

Abstract: 一种通过化学气相沉积制备晶圆级二维In2Se3薄膜的方法；属于晶圆级二维半导体材料薄膜制备领域。本发明要解决现有机械剥离法制备获得的二维In2Se3尺寸过小且难以控制，以及脉冲激光沉积制备成本过高、性能较差的技术问题。本发明的方法：一、配置硝酸铟溶液，过滤；二、量取步骤一所得溶液，高速旋涂于晶圆级尺寸的基底上，进行加热除杂后再受热分解，得到氧化铟薄膜，再对氧化铟薄膜进行高温退火处理；三、对氧化铟薄膜置于CVD炉中进行原位硒化处理，得到大尺寸二维In2Se3薄膜。本发明合成得到的二维In2Se3薄膜尺寸大、均匀度好、表面清洁，用于制作大面积、集成化电子和光电器件。