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公开(公告)号：CN112829151A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202011489342.6
申请日：2020-12-16
Applicant: 东北林业大学
Abstract: 一种通过电化学插层制备InSe薄膜的方法。本发明属于硒化铟薄膜制备领域。本发明的目的在于解决现有机械剥离法获得的硒化铟随机性较强且产率过低，以及脉冲激光沉积法和化学气相沉积法制备步骤复杂，生产成本高，不适合大规模生产的技术问题。本发明的方法：步骤一、以Pt片为阳极，以铜网包裹的块体InSe为阴极，以四丁基溴化铵溶液为电解液，给阴极施加电压，进行插层反应；步骤二、先高速离心清洗，然后超声处理，再低速离心，保留上清液；步骤三、采用匀胶机以不同转速分阶段旋涂在硅片上，得到InSe薄膜。本发明所制备的InSe产率高，接近70％，表面清洁，薄膜的质量很高，可以进一步浓缩，旋涂成大面积InSe薄膜，用来制备大尺寸、晶圆级光电器件。
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公开(公告)号：CN113445025A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110620178.6
申请日：2021-06-03
Applicant: 东北林业大学
Abstract: 一种通过化学气相沉积制备晶圆级二维In2Se3薄膜的方法；属于晶圆级二维半导体材料薄膜制备领域。本发明要解决现有机械剥离法制备获得的二维In2Se3尺寸过小且难以控制，以及脉冲激光沉积制备成本过高、性能较差的技术问题。本发明的方法：一、配置硝酸铟溶液，过滤；二、量取步骤一所得溶液，高速旋涂于晶圆级尺寸的基底上，进行加热除杂后再受热分解，得到氧化铟薄膜，再对氧化铟薄膜进行高温退火处理；三、对氧化铟薄膜置于CVD炉中进行原位硒化处理，得到大尺寸二维In2Se3薄膜。本发明合成得到的二维In2Se3薄膜尺寸大、均匀度好、表面清洁，用于制作大面积、集成化电子和光电器件。
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公开(公告)号：CN113445025B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110620178.6
申请日：2021-06-03
Applicant: 东北林业大学
Abstract: 一种通过化学气相沉积制备晶圆级二维In2Se3薄膜的方法；属于晶圆级二维半导体材料薄膜制备领域。本发明要解决现有机械剥离法制备获得的二维In2Se3尺寸过小且难以控制，以及脉冲激光沉积制备成本过高、性能较差的技术问题。本发明的方法：一、配置硝酸铟溶液，过滤；二、量取步骤一所得溶液，高速旋涂于晶圆级尺寸的基底上，进行加热除杂后再受热分解，得到氧化铟薄膜，再对氧化铟薄膜进行高温退火处理；三、对氧化铟薄膜置于CVD炉中进行原位硒化处理，得到大尺寸二维In2Se3薄膜。本发明合成得到的二维In2Se3薄膜尺寸大、均匀度好、表面清洁，用于制作大面积、集成化电子和光电器件。
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公开(公告)号：CN112829151B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202011489342.6
申请日：2020-12-16
Applicant: 东北林业大学
Abstract: 一种通过电化学插层制备InSe薄膜的方法。本发明属于硒化铟薄膜制备领域。本发明的目的在于解决现有机械剥离法获得的硒化铟随机性较强且产率过低，以及脉冲激光沉积法和化学气相沉积法制备步骤复杂，生产成本高，不适合大规模生产的技术问题。本发明的方法：步骤一、以Pt片为阳极，以铜网包裹的块体InSe为阴极，以四丁基溴化铵溶液为电解液，给阴极施加电压，进行插层反应；步骤二、先高速离心清洗，然后超声处理，再低速离心，保留上清液；步骤三、采用匀胶机以不同转速分阶段旋涂在硅片上，得到InSe薄膜。本发明所制备的InSe产率高，接近70％，表面清洁，薄膜的质量很高，可以进一步浓缩，旋涂成大面积InSe薄膜，用来制备大尺寸、晶圆级光电器件。
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