公开(公告)号：CN112829151B

公开(公告)日：2022-02-08

申请号：CN202011489342.6

申请日：2020-12-16

Applicant: 东北林业大学

Inventor： 冯伟 ,  杨绪轩 ,  刘芝莹 ,  屈栎杭

IPC: B29C41/04 ,  B29C41/34 ,  B29C41/52 ,  C25B1/01 ,  C25B1/50 ,  B29L7/00

Abstract: 一种通过电化学插层制备InSe薄膜的方法。本发明属于硒化铟薄膜制备领域。本发明的目的在于解决现有机械剥离法获得的硒化铟随机性较强且产率过低，以及脉冲激光沉积法和化学气相沉积法制备步骤复杂，生产成本高，不适合大规模生产的技术问题。本发明的方法：步骤一、以Pt片为阳极，以铜网包裹的块体InSe为阴极，以四丁基溴化铵溶液为电解液，给阴极施加电压，进行插层反应；步骤二、先高速离心清洗，然后超声处理，再低速离心，保留上清液；步骤三、采用匀胶机以不同转速分阶段旋涂在硅片上，得到InSe薄膜。本发明所制备的InSe产率高，接近70％，表面清洁，薄膜的质量很高，可以进一步浓缩，旋涂成大面积InSe薄膜，用来制备大尺寸、晶圆级光电器件。

公开(公告)号：CN112829151A

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN202011489342.6

申请日：2020-12-16

Applicant: 东北林业大学

Inventor： 冯伟 ,  杨绪轩 ,  刘芝莹 ,  屈栎杭

IPC: B29C41/04 ,  B29C41/34 ,  B29C41/52 ,  C25B1/01 ,  C25B1/50 ,  B29L7/00

Abstract: 一种通过电化学插层制备InSe薄膜的方法。本发明属于硒化铟薄膜制备领域。本发明的目的在于解决现有机械剥离法获得的硒化铟随机性较强且产率过低，以及脉冲激光沉积法和化学气相沉积法制备步骤复杂，生产成本高，不适合大规模生产的技术问题。本发明的方法：步骤一、以Pt片为阳极，以铜网包裹的块体InSe为阴极，以四丁基溴化铵溶液为电解液，给阴极施加电压，进行插层反应；步骤二、先高速离心清洗，然后超声处理，再低速离心，保留上清液；步骤三、采用匀胶机以不同转速分阶段旋涂在硅片上，得到InSe薄膜。本发明所制备的InSe产率高，接近70％，表面清洁，薄膜的质量很高，可以进一步浓缩，旋涂成大面积InSe薄膜，用来制备大尺寸、晶圆级光电器件。