公开(公告)号：CN105856085B

公开(公告)日：2018-05-18

申请号：CN201610197052.1

申请日：2016-03-30

Applicant: 东北大学

Inventor： 邢鹏飞 ,  李欣 ,  王帅 ,  高帅波 ,  都兴红 ,  付念新 ,  李大纲 ,  曹宝胜

IPC: B24D18/00

Abstract: 用碳化硼制备研磨盘的方法，属于磨具的制备领域。方法：1)以优质的碳化硼为磨料，分别与树脂结合剂热压成型、陶瓷结合剂高温烧结、金属结合剂电镀或烧结制备碳化硼研磨层；2)通过粘结剂或电镀，将磨料层和基体相结合制成碳化硼研磨盘。本发明方法，可减少因金刚石硬度过高造成的工件粗糙、崩边和破裂等现象，增加了研磨面的平整度，提高了工件合格率，降低了后续抛光工序的难度和强度；本发明方法，大幅度降低研磨盘的成本，显著地提高其经济效益。

公开(公告)号：CN105856085A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201610197052.1

申请日：2016-03-30

Applicant: 东北大学

Inventor： 邢鹏飞 ,  李欣 ,  王帅 ,  高帅波 ,  都兴红 ,  付念新 ,  李大纲 ,  曹宝胜

IPC: B24D18/00

CPC classification number: B24D18/0072 ,  B24D18/0009 ,  B24D18/009

Abstract: 用碳化硼制备研磨盘的方法，属于磨具的制备领域。方法：1)以优质的碳化硼为磨料，分别与树脂结合剂热压成型、陶瓷结合剂高温烧结、金属结合剂电镀或烧结制备碳化硼研磨层；2)通过粘结剂或电镀，将磨料层和基体相结合制成碳化硼研磨盘。本发明方法，可减少因金刚石硬度过高造成的工件粗糙、崩边和破裂等现象，增加了研磨面的平整度，提高了工件合格率，降低了后续抛光工序的难度和强度；本发明方法，大幅度降低研磨盘的成本，显著地提高其经济效益。

公开(公告)号：CN105776220B

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201610176239.3

申请日：2016-03-25

Applicant: 东北大学

Inventor： 邢鹏飞 ,  李欣 ,  高帅波 ,  王帅 ,  李盼 ,  都兴红 ,  付念新 ,  李大纲 ,  曹宝胜

IPC: C01B32/991 ,  C09K3/14

Abstract: 一种研磨液用碳化硼粉的制备方法，按以下步骤进行：（1）准备重量纯度95~99%的碳化硼原料，其中的针状和片状晶体的体积百分比≤1%；（2）将碳化硼原料破碎获得碳化硼碎料；（3）经过一级风力分级和二级振动筛分，或者经过一级振动筛分、二级沉降水选和二次干燥；获得研磨液用碳化硼粉的低品位磨料；或者经过多级筛分及水选，获得研磨液用碳化硼粉的高品位微粉。本发明的方法制备的产品配置成研磨液用于研磨时，不仅研磨速率快，而且研磨表面平整度高，大大降低了产品的研磨成本。

公开(公告)号：CN103086378A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201310031510.0

申请日：2013-01-28

Applicant: 东北大学

Inventor： 邢鹏飞 ,  庄艳歆 ,  李大纲 ,  都兴红 ,  边雪 ,  付念新 ,  涂赣峰

IPC: C01B33/023

Abstract: 本发明属于冶金技术领域，特别涉及一种用晶体硅切割废料电热冶金制备太阳能多晶硅的方法。本发明方法是将晶体硅切割工序中产生的“超细碳化硅废料”、“一次切割废料”和“二次切割废料”这三种废料按照任意比例进行混合作为原料，进行酸洗除杂后进行高温真空处理，配入二氧化硅粉料，加入粘结剂，混合均匀后压制成球团并烘干，放入矿热炉或电弧炉内，进行高温冶炼制备出纯度≥99.9wt％的高纯硅，对高纯硅再进行定向凝固，得到太阳能级的多晶硅产品。本发明将晶体硅切割工序中产生的废料变废为宝，并通过电热冶炼的方法获得了太阳能级的多晶硅，实现了资源的高效再生利用。

公开(公告)号：CN105776220A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201610176239.3

申请日：2016-03-25

Applicant: 东北大学

Inventor： 邢鹏飞 ,  李欣 ,  高帅波 ,  王帅 ,  李盼 ,  都兴红 ,  付念新 ,  李大纲 ,  曹宝胜

IPC: C01B31/36 ,  C09K3/14

CPC classification number: C09K3/1409 ,  C01P2004/60

Abstract: 一种研磨液用碳化硼粉的制备方法，按以下步骤进行：（1）准备重量纯度95~99%的碳化硼原料，其中的针状和片状晶体的体积百分比≤1%；（2）将碳化硼原料破碎获得碳化硼碎料；（3）经过一级风力分级和二级振动筛分，或者经过一级振动筛分、二级沉降水选和二次干燥；获得研磨液用碳化硼粉的低品位磨料；或者经过多级筛分及水选，获得研磨液用碳化硼粉的高品位微粉。本发明的方法制备的产品配置成研磨液用于研磨时，不仅研磨速率快，而且研磨表面平整度高，大大降低了产品的研磨成本。

公开(公告)号：CN103086378B

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201310031510.0

申请日：2013-01-28

Applicant: 东北大学

Inventor： 邢鹏飞 ,  庄艳歆 ,  李大纲 ,  都兴红 ,  边雪 ,  付念新 ,  涂赣峰

IPC: C01B33/023

Abstract: 本发明属于冶金技术领域，特别涉及一种用晶体硅切割废料电热冶金制备太阳能多晶硅的方法。本发明方法是将晶体硅切割工序中产生的“超细碳化硅废料”、“一次切割废料”和“二次切割废料”这三种废料按照任意比例进行混合作为原料，进行酸洗除杂后进行高温真空处理，配入二氧化硅粉料，加入粘结剂，混合均匀后压制成球团并烘干，放入矿热炉或电弧炉内，进行高温冶炼制备出纯度≥99.9wt％的高纯硅，对高纯硅再进行定向凝固，得到太阳能级的多晶硅产品。本发明将晶体硅切割工序中产生的废料变废为宝，并通过电热冶炼的方法获得了太阳能级的多晶硅，实现了资源的高效再生利用。