公开(公告)号：CN113169248B

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN201980078538.5

申请日：2019-11-29

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 弓场智之 ,  门田祥次 ,  守屋豪

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/225

Abstract: 本发明的目的在于提供无需复杂的装置、能够利用简便的方法制造具有选择性发射极结构的太阳能电池、杂质浓度的面内均匀性优异的半导体元件的制造方法和太阳能电池的制造方法。用于达到上述目的的本发明为一种半导体元件的制造方法，该制造方法在半导体基板上以2个水平以上的不同杂质浓度形成相同类型的杂质扩散层区域，其中，至少1个水平以上的杂质扩散层区域通过包括：将杂质扩散组合物(a)涂布至半导体基板而部分地形成杂质扩散组合物膜(b)的工序；和将其加热以使杂质扩散至半导体基板中而形成杂质扩散层区域(c)的工序的方法形成，杂质扩散组合物(a)包含(a‑1)具有特定结构的硅烷化合物的聚合物和(a‑2)杂质扩散成分。

公开(公告)号：CN113169248A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980078538.5

申请日：2019-11-29

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 弓场智之 ,  门田祥次 ,  守屋豪

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/225

Abstract: 本发明的目的在于提供无需复杂的装置、能够利用简便的方法制造具有选择性发射极结构的太阳能电池、杂质浓度的面内均匀性优异的半导体元件的制造方法和太阳能电池的制造方法。用于达到上述目的的本发明为一种半导体元件的制造方法，该制造方法在半导体基板上以2个水平以上的不同杂质浓度形成相同类型的杂质扩散层区域，其中，至少1个水平以上的杂质扩散层区域通过包括：将杂质扩散组合物(a)涂布至半导体基板而部分地形成杂质扩散组合物膜(b)的工序；和将其加热以使杂质扩散至半导体基板中而形成杂质扩散层区域(c)的工序的方法形成，杂质扩散组合物(a)包含(a‑1)具有特定结构的硅烷化合物的聚合物和(a‑2)杂质扩散成分。