公开(公告)号：CN112204384B

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN201980036796.7

申请日：2019-06-13

Applicant: 东丽工程株式会社

Inventor： 大美英一

IPC: G01N21/956 ,  H01L21/301 ,  H01L21/66

Abstract: 可靠地检测已切割的晶片的切割线中潜伏的裂纹或崩边等缺陷，并且缩短器件芯片的检查时间。具体而言，在对切割晶片上所配置的器件芯片的器件区域和周边区域进行检查的装置中，具有晶片保持部、拍摄部、相对移动部、检查方案登记部以及控制部，控制部具有：周边区域检查模式，以规定的拍摄倍率按照包含已切割的晶片的切割线的方式沿着该切割线进行拍摄，对器件芯片的周边区域进行检查；以及器件区域检查模式，以比周边区域检查模式下的拍摄倍率低的拍摄倍率按照跳过切割线的方式进行拍摄，对器件区域进行检查，在检查方案登记部中登记有用于执行器件区域检查模式和周边区域检查模式中的至少一方的检查方案。

公开(公告)号：CN116438447A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202180068633.4

申请日：2021-09-17

Applicant: 东丽工程株式会社 ,  塔斯米特株式会社

Inventor： 大美英一

IPC: G01N21/956

Abstract: 提供外观检查装置及方法，即使检查对象部位包含允许外缘的位置偏移、尺寸误差的变动区域，也能够不检测疑似缺陷而获得所期望的检查结果。具体而言，外观检查装置检查检查对象部位的外观，具备：检查图像取得部，取得检查图像；检查基准图像登记部，登记成为检查的基准的基准图像；以及检查部，比较检查图像和基准图像来进行检查，检查对象部位包含允许外缘的位置偏移、尺寸误差的变动区域，具备检测变动区域的外缘位置的边缘检测部，作为基准图像，登记有成为对变动区域进行检查的基准的变动区域基准图像，检查部比较检查图像中的变动区域、和变动区域基准图像中的基于由边缘检测部检测出的外缘的位置而与该变动区域位置对应的区域，来检查该变动区域。

公开(公告)号：CN102349142A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201080011823.4

申请日：2010-03-01

Applicant: 东丽工程株式会社

Inventor： 大美英一 ,  山本比佐史

IPC: H01L21/66 ,  G01N21/956

CPC classification number: G01N21/9501 ,  G01N21/956

Abstract: 一种薄片检查条件生成方法，生成检查形成在薄片(10)上的半导体芯片外观的多台检查装置的检查条件数据，该方法包括以下步骤：计算出相对于设计值的每台薄片检查装置(A～C)装置的机差，然后将机差校正数据进行登录；在所选择的任意一台薄片检查装置(A)中，使用薄片(10)生成检查条件数据；从检查条件数据和所选择的任意一台薄片检查装置(A)的机差校正数据，生成通用检查条件数据；从通用检查条件数据和每台薄片检查装置(B～C)装置机差校正数据，生成每台薄片检查装置(B～C)装置的检查条件数据。

公开(公告)号：CN112204384A

公开(公告)日：2021-01-08

申请号：CN201980036796.7

申请日：2019-06-13

Applicant: 东丽工程株式会社

Inventor： 大美英一

IPC: G01N21/956 ,  H01L21/301 ,  H01L21/66

Abstract: 可靠地检测已切割的晶片的切割线中潜伏的裂纹或崩边等缺陷，并且缩短器件芯片的检查时间。具体而言，在对切割晶片上所配置的器件芯片的器件区域和周边区域进行检查的装置中，具有晶片保持部、拍摄部、相对移动部、检查方案登记部以及控制部，控制部具有：周边区域检查模式，以规定的拍摄倍率按照包含已切割的晶片的切割线的方式沿着该切割线进行拍摄，对器件芯片的周边区域进行检查；以及器件区域检查模式，以比周边区域检查模式下的拍摄倍率低的拍摄倍率按照跳过切割线的方式进行拍摄，对器件区域进行检查，在检查方案登记部中登记有用于执行器件区域检查模式和周边区域检查模式中的至少一方的检查方案。

公开(公告)号：CN102349142B

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201080011823.4

申请日：2010-03-01

Applicant: 东丽工程株式会社

Inventor： 大美英一 ,  山本比佐史

IPC: H01L21/66 ,  G01N21/956

CPC classification number: G01N21/9501 ,  G01N21/956

Abstract: 一种薄片检查条件生成方法，生成检查形成在薄片(10)上的半导体芯片外观的多台检查装置的检查条件数据，该方法包括以下步骤：计算出相对于设计值的每台薄片检查装置(A～C)装置的机差，然后将机差校正数据进行登录；在所选择的任意一台薄片检查装置(A)中，使用薄片(10)生成检查条件数据；从检查条件数据和所选择的任意一台薄片检查装置(A)的机差校正数据，生成通用检查条件数据；从通用检查条件数据和每台薄片检查装置(B～C)装置机差校正数据，生成每台薄片检查装置(B～C)装置的检查条件数据。