公开(公告)号：CN105632791A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201610176928.4

申请日：2016-03-25

Applicant: 上海工程技术大学

Inventor： 李鹏 ,  李文尧 ,  行栋鹏 ,  李唯 ,  柯金龙

IPC: H01G11/86 ,  H01G11/46 ,  B82Y40/00

CPC classification number: Y02E60/13 ,  H01G11/86 ,  B82Y40/00 ,  H01G11/46

Abstract: 本发明涉及一种Ag掺杂MnO2纳米阵列超级电容器材料及其制备方法，所述的超级电容器材料包括MnO2纳米阵列和掺杂在MnO2纳米阵列中的金属Ag，所述的MnO2纳米阵列为由纳米线间隔组成的线状阵列结构；上述的超级电容器材料通过以下步骤制成：(1)往Mn(CH3COO)2溶液中滴加AgNO3溶液，并保持搅拌，反应，得到初步反应溶液；(2)将步骤(1)得到的初步反应溶液水浴加热，继续反应，得到反应产物；(3)将步骤(2)得到的反应产物过滤烘干后，退火处理，即得到目的产品。与现有技术相比，本发明具有制备方法简单，产品电化学性能优异等优点。

公开(公告)号：CN105632791B

公开(公告)日：2018-05-22

申请号：CN201610176928.4

申请日：2016-03-25

Applicant: 上海工程技术大学

Inventor： 李鹏 ,  李文尧 ,  行栋鹏 ,  李唯 ,  柯金龙

IPC: H01G11/86 ,  H01G11/46 ,  B82Y40/00

CPC classification number: Y02E60/13

Abstract: 本发明涉及一种Ag掺杂MnO2纳米阵列超级电容器材料及其制备方法，所述的超级电容器材料包括MnO2纳米阵列和掺杂在MnO2纳米阵列中的金属Ag，所述的MnO2纳米阵列为由纳米线间隔组成的线状阵列结构；上述的超级电容器材料通过以下步骤制成：(1)往Mn(CH3COO)2溶液中滴加AgNO3溶液，并保持搅拌，反应，得到初步反应溶液；(2)将步骤(1)得到的初步反应溶液水浴加热，继续反应，得到反应产物；(3)将步骤(2)得到的反应产物过滤烘干后，退火处理，即得到目的产品。与现有技术相比，本发明具有制备方法简单，产品电化学性能优异等优点。