-
公开(公告)号：CN112626466A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011475193.8
申请日：2020-12-14
Applicant: 上海宇航系统工程研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于赝火花脉冲放电电子束进行薄膜沉积装置，包括试验腔体、赝火花放电腔体体及配套电路、抽真空装置、赝火花放电电子束、工作气体及气压控制装置、薄膜沉积靶材及移动平台、衬底加热及移动平台、电子束束流强度控制及测量装置，试验腔体为封闭腔体，其内包含赝火花放电电子束、薄膜沉积靶材及移动平台、衬底加热及移动平台和电子束束流强度控制及测量装置，赝火花放电电子束作为赝火花脉冲放电电子束进行薄膜沉积能量源。本发明是一种高效率、低成本、成膜表面质量好、脉冲参数可控性高的低温镀膜装置。
Search Results
1
records
(took 0.031 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
