公开(公告)号：CN119685937A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202411632614.1

申请日：2024-11-15

Applicant: 上海大学

Inventor： 梁小燕 ,  杨文轩 ,  祝玄 ,  张博 ,  张继军 ,  闵嘉华

IPC: C30B33/02 ,  C30B29/48 ,  C30B31/16 ,  C23C14/24 ,  C23C14/54 ,  C23C14/04

Abstract: 本发明涉及一种碲锌镉晶体的气相退火方法，包括以下步骤：S1：检测碲锌镉晶片内部的点缺陷种类及缺陷浓度；S2：根据点缺陷检测结果确定退火调控的对应气相源；S3：通过物理气相沉积在石英片上制备气相源薄膜；S4：确认退火的气相源气压；S5：将碲锌镉晶片和沉积有气相源薄膜的石英片分别封装在退火石英管的两端，随后置于退火炉中，分别对退火石英管的两端进行加热，最终得到经气相退火改性的CdZnTe晶体。与现有技术相比，本发明可以对气相源的种类和含量进行调控，最终得到内部缺陷显著减少、晶体电学性能显著提高的碲锌镉晶体。

公开(公告)号：CN118624668A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410697764.4

申请日：2024-05-31

Applicant: 上海大学

Inventor： 梁小燕 ,  殷亮 ,  杨文轩 ,  祝玄 ,  闵嘉华

IPC: G01N27/00 ,  G01N1/28 ,  G01N1/32

Abstract: 本发明涉及一种分辨碲锌镉晶体(111)A面与(111)B面的方法，其包括以下步骤：S1：将碲锌镉(CdZnTe或CZT)晶圆定向切割成晶片，研磨后备用；S2：使用抛光液对S1中打磨后的CZT晶片进行机械抛光，随后清洗、干燥；S3：使用蓝膜覆盖CZT晶片表面，在上表面裁剪出两条用于形成条形电极的暴露区域，随后在暴露区域滴加氯化金溶液形成条形电极；随后在下表面按同样操作形成两条条形电极；S4：分别测量S3中上表面两电极之间和下表面两电极之间的漏电流，根据上表面和下表面的漏电流性能确定CZT晶体的(111)A面与(111)B面。与现有技术相比，本发明采用非破坏性的电学测试进行CZT晶片表面的漏电流测试，不会对CZT晶片表面产生破坏，且更安全环保。