公开(公告)号：CN101847632A

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN201010113500.8

申请日：2010-02-25

Applicant: 上海北京大学微电子研究院

Inventor： 贾孟军 ,  吴文政 ,  程玉华

IPC: H01L27/04 ,  H01L23/528

Abstract: 本发明是关于一种优化的射频集成电路电感结构，具体为一种采用CMOS兼容MEMS工艺优化片上平面螺旋电感性能的结构。其包括：多层金属互连结构和悬浮结构。各金属层螺旋导线分别位于对应介质层间，其互连结构通过插塞采用多层金属并联(或串并联)形式构成，这样就可以在低频带范围改善电感性能。悬浮结构是依据金属螺旋形状在其螺旋面中间和外围两个部位(或仅中间部位)进行刻蚀各介质层和硅衬底而形成的结构，这样就减小了寄生电容的影响，扩展了电感的工作频带，以及大幅度提高了在高频带范围内的性能。

公开(公告)号：CN105097788A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201410216645.9

申请日：2014-05-22

Applicant: 上海北京大学微电子研究院

Inventor： 张炯 ,  贾孟军 ,  吴文政 ,  徐帆 ,  程玉华

IPC: H01L23/64 ,  H01L23/528

Abstract: 本发明是关于一种优化的射频集成电路电感结构，具体为一种采用CMOS兼容MEMS工艺优化片上平面螺旋电感性能的结构。其包括：多层金属互连结构和悬浮结构。各金属层螺旋导线分别位于对应介质层间，其互连结构通过插塞采用多层金属并联（或串并联）形式构成，这样就可以在低频带范围改善电感性能。悬浮结构是依据金属螺旋形状在其螺旋面中间和外围两个部位（或仅中间部位）进行刻蚀各介质层和硅衬底而形成的结构，这样就减小了寄生电容的影响，扩展了电感的工作频带，以及大幅度提高了在高频带范围内的性能。