公开(公告)号：CN1563949A

公开(公告)日：2005-01-12

申请号：CN200410017195.7

申请日：2004-03-25

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 沈文忠 ,  蔡蔚然

IPC: G01N21/35

Abstract: 一种完整的间接带隙半导体材料参数拟合方法，用于半导体材料领域。本发明用红外光谱仪以垂直入射的方式测得间接带隙半导体材料的透射光谱，采用完整吸收系数公式，使得电子本征跃迁和向Urbach带尾的跃迁很好地衔接，并结合透射率公式，对实验结果进行拟合，从而获得透射率、吸收系数、带尾参数、跃迁几率各参数的值。本发明从根本上改善了传统的间接半导体吸收光谱的拟合在吸收边附近存在较大偏差的根源，使得计算出的透射率曲线总偏差减小到传统方案的50％以下。其优越性已在对具体实验结果的拟合中得到充分体现。本发明可以广泛用于各种间接半导体材料的分析研究，并将对相关的器件设计起到指导性作用。

公开(公告)号：CN100414287C

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200410017195.7

申请日：2004-03-25

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 沈文忠 ,  蔡蔚然

IPC: G01N21/35

Abstract: 一种完整的间接带隙半导体材料参数拟合方法，用于半导体材料领域。本发明用红外光谱仪以垂直入射的方式测得间接带隙半导体材料的透射光谱，采用完整吸收系数公式，使得电子本征跃迁和向Urbach带尾的跃迁很好地衔接，并结合透射率公式，对实验结果进行拟合，从而获得透射率、吸收系数、带尾参数、跃迁几率各参数的值。本发明从根本上改善了传统的间接半导体吸收光谱的拟合在吸收边附近存在较大偏差的根源，使得计算出的透射率曲线总偏差减小到传统方案的50%以下。其优越性已在对具体实验结果的拟合中得到充分体现。本发明可以广泛用于各种间接半导体材料的分析研究，并将对相关的器件设计起到指导性作用。