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发明公开
凹部蚀刻液、凹部蚀刻方法及表面处理过的半导体基板的制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN116547411A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202180081678.5

申请日：2021-12-06

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 冈部哲 , 尾家俊行 , 安谷屋智幸 , 本望圭纮 , 陈重伊 , 王舶纮

IPC: C23F1/28

Abstract: 本发明涉及，在半导体基板的制造工艺中，用于对金属布线实施凹部蚀刻的凹部蚀刻液及使用它的凹部蚀刻方法。本发明的凹部蚀刻液用于对含钴金属层的表面实施凹部蚀刻，所述含钴金属层埋入在半导体基板上形成的通孔或沟槽内，所述凹部蚀刻液包含：(A)有机酸；(B)含氮杂环式化合物及(C)有机溶剂中的任一者或二者；和(D)水。另外，本发明的凹部蚀刻方法包括：凹部蚀刻工序，其使前述凹部蚀刻液与含钴金属层的表面接触，从而对前述含钴金属层的表面实施凹部蚀刻，所述含钴金属层埋入在半导体基板上形成的通孔或沟槽内。

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