公开(公告)号：CN117581338A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202280045082.4

申请日：2022-06-29

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 尾家俊行 ,  安谷屋智幸 ,  杨智量 ,  王舶纮

IPC: H01L21/308

Abstract: 提供一种存储元件用半导体基板的蚀刻组合物，其能够提供具有改善的性能的存储元件用半导体基板。一种存储元件用半导体基板的蚀刻组合物，其包含(A)氧化剂、(B)氟化合物、和(C)金属钨防腐剂，前述(C)金属钨防腐剂包含选自由下述式(1)所示的铵盐和具有碳数14～30的烷基的杂芳基盐组成的组中的至少一种。#imgabs0#

公开(公告)号：CN116547411A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202180081678.5

申请日：2021-12-06

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 冈部哲 ,  尾家俊行 ,  安谷屋智幸 ,  本望圭纮 ,  陈重伊 ,  王舶纮

IPC: C23F1/28

Abstract: 本发明涉及，在半导体基板的制造工艺中，用于对金属布线实施凹部蚀刻的凹部蚀刻液及使用它的凹部蚀刻方法。本发明的凹部蚀刻液用于对含钴金属层的表面实施凹部蚀刻，所述含钴金属层埋入在半导体基板上形成的通孔或沟槽内，所述凹部蚀刻液包含：(A)有机酸；(B)含氮杂环式化合物及(C)有机溶剂中的任一者或二者；和(D)水。另外，本发明的凹部蚀刻方法包括：凹部蚀刻工序，其使前述凹部蚀刻液与含钴金属层的表面接触，从而对前述含钴金属层的表面实施凹部蚀刻，所述含钴金属层埋入在半导体基板上形成的通孔或沟槽内。