公开(公告)号：CN106400017A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610619512.5

申请日：2016-07-29

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 山田洋三 ,  本望圭纮 ,  后藤敏之

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/26

CPC classification number: C23F1/18 ,  C23F1/26

Abstract: 提供：用于蚀刻层叠于基板上的多层薄膜的蚀刻液，所述基板使用选自玻璃、二氧化硅和氮化硅中的1种以上，所述多层薄膜包含以铜为主要成分的铜层和以钛为主要成分的钛层；和使用其的包含铜层和钛层的多层薄膜的蚀刻方法；以及使用该蚀刻方法得到的基板。一种蚀刻液，其为包含如下成分的水溶液且pH值为1.5～2.5：(A)过氧化氢的浓度为4.5～7.5质量％；(B)硝酸的浓度为0.8～6质量％；(C)氟化合物的浓度为0.2～0.5质量％；(D)唑类的浓度为0.14～0.3质量％；(E)特定的胺化合物的浓度为0.4～10质量％；和(F)过氧化氢稳定剂的浓度为0.005～0.1质量％。

公开(公告)号：CN116547411A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202180081678.5

申请日：2021-12-06

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 冈部哲 ,  尾家俊行 ,  安谷屋智幸 ,  本望圭纮 ,  陈重伊 ,  王舶纮

IPC: C23F1/28

Abstract: 本发明涉及，在半导体基板的制造工艺中，用于对金属布线实施凹部蚀刻的凹部蚀刻液及使用它的凹部蚀刻方法。本发明的凹部蚀刻液用于对含钴金属层的表面实施凹部蚀刻，所述含钴金属层埋入在半导体基板上形成的通孔或沟槽内，所述凹部蚀刻液包含：(A)有机酸；(B)含氮杂环式化合物及(C)有机溶剂中的任一者或二者；和(D)水。另外，本发明的凹部蚀刻方法包括：凹部蚀刻工序，其使前述凹部蚀刻液与含钴金属层的表面接触，从而对前述含钴金属层的表面实施凹部蚀刻，所述含钴金属层埋入在半导体基板上形成的通孔或沟槽内。

公开(公告)号：CN106400017B

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201610619512.5

申请日：2016-07-29

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 山田洋三 ,  本望圭纮 ,  后藤敏之

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/26

Abstract: 提供：用于蚀刻层叠于基板上的多层薄膜的蚀刻液，所述基板使用选自玻璃、二氧化硅和氮化硅中的1种以上，所述多层薄膜包含以铜为主要成分的铜层和以钛为主要成分的钛层；和使用其的包含铜层和钛层的多层薄膜的蚀刻方法；以及使用该蚀刻方法得到的基板。一种蚀刻液，其为包含如下成分的水溶液且pH值为1.5～2.5：(A)过氧化氢的浓度为4.5～7.5质量％；(B)硝酸的浓度为0.8～6质量％；(C)氟化合物的浓度为0.2～0.5质量％；(D)唑类的浓度为0.14～0.3质量％；(E)特定的胺化合物的浓度为0.4～10质量％；和(F)过氧化氢稳定剂的浓度为0.005～0.1质量％。