光学元件的制造方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119384644A

    公开(公告)日:2025-01-28

    申请号:CN202380047855.7

    申请日:2023-06-29

    Abstract: 一种光学元件的制造方法,对具有包含聚合性化合物和光聚合引发剂的记录层的全息图像记录介质,实施基于下述式(1)以平均曝光强度为6mW/cm2以上的条件全息图像的多重记录曝光。#imgabs0#(式(1)中,ETi为单次曝光时间,表示多重记录曝光的每一次的曝光时间(秒)。EPWi为曝光光强度,表示参考光与物体光的合计光强度(mW/cm2)。EITi‑1为曝光间隔时间,表示多重记录曝光中一次的记录曝光与记录曝光之间的时间(秒)。m为自然数,表示合计多重数。其中,当i=1时,将EITi‑1视为零)。

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