公开(公告)号：CN101132024B

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200710140986.2

申请日：2007-08-15

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 石田裕康 ,  夏目正

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/0869 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/7811

Abstract: 本发明提供一种绝缘栅型半导体装置。在现有结构中，源极区域及反向栅区域与共同的源极电极接触，不能分别控制源极区域和反向栅区域的电位。因此，在将这种MOSFET用于双向转换元件时，将两个MOSFET串联连接，由控制电路进行MOSFET的导通截止及寄生二极管的控制，阻碍了装置的小型化。在动作区域整个面上设置源极区域，在沟槽间的源极区域下方设置第一反向栅区域，在源极区域外设置与第一反向栅区域连接的第二反向栅区域。将与源极区域接触的第一电极层设置在动作区域的整个面上，将与第二反向栅区域接触的第二电极层设置在第一电极层的外周。能够分别对第一电极层和第二电极层施加电位，进行防止寄生二极管引起的逆流的控制。

公开(公告)号：CN101132024A

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN200710140986.2

申请日：2007-08-15

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 石田裕康 ,  夏目正

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/0869 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/7811

Abstract: 本发明提供一种绝缘栅型半导体装置。在现有结构中，源极区域及反向栅区域与共同的源极电极接触，不能分别控制源极区域和反向栅区域的电位。因此，在将这种MOSFET用于双向转换元件时，将两个MOSFET串联连接，由控制电路进行MOSFET的导通截止及寄生二极管的控制，阻碍了装置的小型化。在动作区域整个面上设置源极区域，在沟槽间的源极区域下方设置第一反向栅区域，在源极区域外设置与第一反向栅区域连接的第二反向栅区域。将与源极区域接触的第一电极层设置在动作区域的整个面上，将与第二反向栅区域接触的第二电极层设置在第一电极层的外周。能够分别对第一电极层和第二电极层施加电位，进行防止寄生二极管引起的逆流的控制。

公开(公告)号：CN100470831C

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200510006251.1

申请日：2005-02-02

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 相马忠昭 ,  夏目正

IPC: H01L29/47 ,  H01L21/331 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/861

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法。目前肖特基势垒二极管的VF、IR特性存在对调关系，为了实线低VF化就不能避免漏电流的增大。虽然公知的有：通过加入P+区域扩展耗尽层并利用夹断作用抑制漏电流的结构，但现实中难于完全封闭耗尽层。本发明的半导体装置中，设置P+型区域使低VF的肖特基金属层接触P+型区域及其周围的耗尽区域，使低IR肖特基金属层接触耗尽区域之间的N型衬底表面。在正偏压时电流流过低VF金属层，在反偏压时，由耗尽区域使其变窄的电流经路仅为低IR金属层部分。由此，可实现低VF、低IR的肖特基势垒二极管。

公开(公告)号：CN1661809A

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN200510006251.1

申请日：2005-02-02

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 相马忠昭 ,  夏目正

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/861

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法。目前肖特基势垒二极管的VF、IR特性存在对调关系，为了实线低VF化就不能避免漏电流的增大。虽然公知的有：通过加入P+区域扩展耗尽层并利用夹断作用抑制漏电流的结构，但现实中难于完全封闭耗尽层。本发明的半导体装置中，设置P+型区域使低VF的肖特基金属层接触P+型区域及其周围的耗尽区域，使低IR肖特基金属层接触耗尽区域之间的N型衬底表面。在正偏压时电流流过低VF金属层，在反偏压时，由耗尽区域使其变窄的电流经路仅为低IR金属层部分。由此，可实现低VF、低IR的肖特基势垒二极管。