公开(公告)号：CN1677687A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN200510059260.7

申请日：2005-03-25

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 冈田哲也 ,  船越明彦

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/872

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，MOSFET在源极－漏极间具有寄生pn二极管，其作为Fast Recovery Diode(FRD)使用。但是，由于pn结二极管构成妨碍高速开关动作及低消耗电力化的主要原因，故此时要外置肖特基势垒二极管，使装置增大或部件数量增多。设置贯通MOSFET的相邻栅极电极间的沟道层的槽，并在槽内设置肖特基金属层。由此，槽底部构成肖特基势垒二极管，故可在MOSFET的扩散区域内装肖特基势垒二极管。由此，可实现装置的小型化和部件数量的消减。