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公开(公告)号：CN101270175A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200810086257.8
申请日：2008-03-24
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: C08F220/10 , C08J5/00 , G02B1/04 , G02B3/00
Abstract: 本发明的目的是提供一种固化前的粘度低、固化物的折射率高、高温高湿下的折射率变化小、且耐热冲击性优异的光学聚合物材料及使用该材料的光学部件。本发明的光学聚合物材料的特征在于，含有具有4个(甲基)丙烯酰基的芴化合物、和具有苯基苯酚基的(甲基)丙烯酸酯，还可以含有具有－M－O－M－键(M为金属原子)和芳基的有机金属聚合物以及单官能(甲基)丙烯酸酯、多官能(甲基)丙烯酸酯。
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公开(公告)号：CN1755407A
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN200510107546.8
申请日：2005-09-27
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: G02B6/122
CPC classification number: G02B6/1221 , G02B6/125 , G02B6/138
Abstract: 本发明公开一种光分路装置，其特征在于，包括：具有从基部的导波路径连续地以直线状延伸的第一分路导波路径，以及夹持第一分路导波路径并沿着各自偏离第一分路导波路径的方向而延伸的第二和第三分路导波路径的分路部；第二和第三分路导波路径以相对于第一分路导波路径成为平行的方式而定位的平行部；所述第二和第三分路导波路径以渐渐地偏离所述第一分路导波路径的方式而延伸的离散部。以由将平行部中的第一、第二和第三分路导波路径的横方向的相互间隔间距P以及芯部与包覆部的折射率差Δn代入式子C＝Δn·P2而算出的C满足关系C＝0.5±0.2的方式设定所述P以及所述Δn。
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公开(公告)号：CN1175533C
公开(公告)日：2004-11-10
申请号：CN00133134.5
申请日：2000-09-22
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01L33/02 , H01S5/22 , H01S5/2216 , H01S5/3201 , H01S5/34333 , H01S2301/173
Abstract: 在蓝宝石衬底上顺序地形成AlGaN缓冲层、不掺杂的GaN层、n-GaN接触层、n-InGaN裂纹防止层、n-AlGaN覆盖层、MQW有源层和p-AlGaN覆盖层。在p-AlGaN覆盖层上形成脊形部分，在脊形部分上面形成p-GaN间隙层。在p-AlGaN覆盖层的平坦部分上和脊形部分的侧面顺序地形成n-AlGaN第一再生长低温缓冲层和n-AlGaN电流阻挡层，在n-AlGaN电流阻挡层上和脊形部分上面形成p-AlGaN第二再生长低温缓冲层和p-GaN接触层。
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公开(公告)号：CN102377106A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110226631.1
申请日：2011-08-04
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01S5/022
CPC classification number: H01S5/02204 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01S5/02212 , H01S5/02216 , H01S5/02244 , H01S5/0683 , H01S5/32341 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种半导体激光装置及光装置。在本发明提供的半导体激光装置中具备：内部具有密封空间的封装和配置于密封空间内的半导体激光元件。封装具有用粘接剂相互接合的第一部件和第二部件，在密封空间内的第一部件和第二部件的接合区域上，形成有由乙烯-乙烯醇共聚物构成的包覆剂。利用包覆剂覆盖粘接剂。
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公开(公告)号：CN102377105A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110226624.1
申请日：2011-08-04
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01S5/022
CPC classification number: H01S5/02204 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01S5/02212 , H01S5/02216 , H01S5/02244 , H01S5/02296 , H01S5/0683 , H01S5/32341 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种半导体激光装置和光装置。该半导体激光装置具备：由多个部件构成且内部具有密封空间的封装体和配置在密封空间内的半导体激光元件，部件的位于密封空间内的表面由含有乙烯-聚乙烯醇共聚物的被覆剂覆盖。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN1986642A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200610169904.2
申请日：2006-12-22
Applicant: 三洋电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种有机无机复合体形成用材料，含有具有－M－O－M－键的有机金属聚合物、和具有亲水性基的丙烯酸系单体或低聚物和无机颗粒，其中M为金属原子，作为有机金属聚合物的M优选为Si，有机金属聚合物优选通过水解、缩聚具有用光或热可以聚合的基的三烷氧基硅烷、和具有苯基的二烷氧基硅烷形成。
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公开(公告)号：CN1530673A
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN200410039644.8
申请日：2004-03-12
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: G02B6/13
CPC classification number: G02B6/1221 , G02B6/138 , G02B2006/121
Abstract: 一种光波导，具有成为光传播区的芯层、覆盖该芯层周围的上部包层和下部包层，上部包层伴随着体积的收缩而形成，其特征在于：在上部包层和下部包层挨着的区域的至少一部分中，在上部包层和下部包层之间，设置由比上部包层的储存弹性模量还小的材料构成的应力缓和层。
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公开(公告)号：CN1096729C
公开(公告)日：2002-12-18
申请号：CN97109946.4
申请日：1997-03-28
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01S3/18
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/204 , H01S5/2206 , H01S5/221 , H01S5/222 , H01S5/2231 , H01S5/32316 , H01S5/3432
Abstract: 一种半导体激光器件包括第一导电型敷层、有源层、第二导电型敷层和电流阻挡层。设定有效折射率之差值Δn和开口宽度W[μm]，使之满足一预定关系。通过选择电流阻挡层的A1的组分比和开口两侧第二导电型敷层的厚度，可设定实折射率之差值Δn。
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公开(公告)号：CN102255237A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110129862.0
申请日：2011-05-13
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01S5/022
CPC classification number: H01S5/02216 , G11B7/1275 , G11B2007/0006 , H01L2224/48091 , H01S5/0222 , H01S5/02228 , H01S5/02296 , H01S5/02469 , H01S5/0683 , H01S5/4087 , H04N9/3114 , H04N9/3161 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种半导体激光装置和光学装置。该半导体激光装置包括半导体激光元件和将半导体激光元件密封的封装体。封装体包括：由树脂构成的基座主体；安装于基座主体的上表面的第一密封用部件；和安装于基座主体的前表面的具有透光性的第二密封用部件。基座主体具有从上表面开口至前表面的开口部，开口部的上表面侧由第一密封用部件密封，开口部的前表面侧由第二密封用部件密封。
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