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公开(公告)号:CN1573456B
公开(公告)日:2010-05-05
申请号:CN200410050142.5
申请日:2004-06-23
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor: 佐野景一
CPC classification number: H02M3/073
Abstract: 本发明的目的在以低消耗电力而将取样晶体管所取样的信号予以放大,提供一种将取样晶体管(ST)所取样的显示电压信号(Vsig)予以放大的放大电路,其中:将作为(MOS)电容之用的薄膜晶体管(T1)连接于输出显示电压信号(Vsig)的漏极信号线(DL),并将升压脉冲(VP1)施加于该薄膜晶体管(T1)的闸极,再者,使薄膜晶体管(T1)在上升脉冲于时间变化的途中由导通变化至切断,并利用薄膜晶体管(T1)的导通切断时的闸极电容值之差而放大信号者。
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公开(公告)号:CN1236476C
公开(公告)日:2006-01-11
申请号:CN03101971.4
申请日:2003-01-30
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L29/786 , G09G3/32
CPC classification number: G02F1/13454 , H01L27/12 , H01L27/1281 , H01L29/04 , H01L29/78633
Abstract: 本发明目的在于提供一种显示品质更高的半导体显示装置及其制造方法。其中,形成与像素区域的各像点相对应且用以进行驱动的晶体管DTFT(图2(a))。另一方面,在像素区域的周边,形成有构成驱动电路的晶体管TFT(图2(b))。构成此晶体管DTFT的多晶硅10,以及构成晶体管TFT的多晶硅15,系藉由对于同一非晶硅进行激光照射的步骤而产生。但是,在晶体管DTFT的下方形成有散热性佳的遮光层配线SL。因此,构成此晶体管DTFT的多晶硅10的结晶粒的粒径,系设定成比构成晶体管TFT的多晶硅15的结晶粒的粒径更小。
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公开(公告)号:CN1573877A
公开(公告)日:2005-02-02
申请号:CN200410048755.5
申请日:2004-06-15
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor: 佐野景一
CPC classification number: G09G3/3241 , G09G3/3283 , G09G2300/0842 , G09G2300/0861 , G09G2310/027 , G09G2310/06 , G09G2330/028
Abstract: 本发明提供一种显示装置,其目的在藉由所输入的电压视频信号,驱动电流驱动型像素电路,其特征在:对于视频信号线VL予以输入电压视频信号。扫描仪(60)是依据所输入的电压视频信号,将视频信号导入至对应的行的电压电流转换电路(62)。于是,即由电流电压转换电路(62)将电压视频信号转换成电流信号供给至对应的像素电路(50)。再者,各电压电流转换电路(62)是具有依据电压视频信号而输出电流的输出晶体管,同时具有用以补偿该输出晶体管的阈值的变异的补偿电路。
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公开(公告)号:CN1573452A
公开(公告)日:2005-02-02
申请号:CN200410048756.X
申请日:2004-06-15
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor: 佐野景一
IPC: G02F1/133
CPC classification number: G09G3/3648 , G09G2300/0809 , G09G2300/0828
Abstract: 本发明的显示装置,其课题在于简化配置于像素区域周边的驱动器电路的构成、减低显示面板的框体面积、及谋求低消耗电力化。其解决手段在于:像素GS内的TFT(T1)、TFT(T2)、TFT(T3)系串联连接,其中TFT(T1)连接在漏极信号线DL1上。TFT(T3)连接在液晶LC的像素电极1上。在第1电容器C1及第2电容器C2的一方端子上施加接地电位(0V)。第1电容器C1的另一方端子系连接在TFT(T1)、TFT(T2)的连接点N1。第2电容器C2的另一方端子系连接在TFT(T2)、TFT(T3)的连接点N2。在TFT(T1)、TFT(T2)、TFT(T3)的栅极,分别施加控制该等TFT的导通与切断(on and off)用的控制脉冲信号A、B、C。
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公开(公告)号:CN1448910A
公开(公告)日:2003-10-15
申请号:CN02155584.2
申请日:2002-12-11
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: G09G3/32
CPC classification number: G09G3/3266 , G09G3/3233 , G09G2300/0426 , G09G2300/0465 , G09G2300/0809 , G09G2300/0842 , G09G2300/0852 , G09G2300/0861 , G09G2310/0251 , G09G2320/0233 , G09G2320/043 , H01L27/3244
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及显示装置,其以实现对于被驱动元件可稳定地供给电力的构成为目的。其特征在于:配置成矩阵状的各像素,具备有有机EL元件50、第1TFT10、第2TFT20、保持电容Cs、重设用的第3TFT30,其中,第1TFT10依据栅极信号而取入数据信号,第2TFT20的漏极连接至驱动电源线VL,源极则连接至有机EL元件50,并于栅极接收数据信号而控制由驱动电源Pvdd供给至有机EL元件50的电流。保持电容Cs的第1电极7连接至第2TFT20的栅极,第2电极8连接至第2TFT20的源极以及有机EL元件,并保持第2TFT20的Vgs。第3TFT30于保持电容Cs充电时固定第2电极电位。
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公开(公告)号:CN1264133C
公开(公告)日:2006-07-12
申请号:CN02155584.2
申请日:2002-12-11
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: G09G3/32
CPC classification number: G09G3/3266 , G09G3/3233 , G09G2300/0426 , G09G2300/0465 , G09G2300/0809 , G09G2300/0842 , G09G2300/0852 , G09G2300/0861 , G09G2310/0251 , G09G2320/0233 , G09G2320/043 , H01L27/3244
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及显示装置,其以实现对于被驱动元件可稳定地供给电力的构成为目的。其特征在于:配置成矩阵状的各像素,具备有有机EL元件50、第1TFT10、第2TFT20、保持电容Cs、重设用的第3TFT30,其中,第1TFT10依据栅极信号而取入数据信号,第2TFT20的漏极连接至驱动电源线VL,源极则连接至有机EL元件50,并于栅极接收数据信号而控制由驱动电源Pvdd供给至有机EL元件50的电流。保持电容Cs的第1电极7连接至第2TFT20的栅极,第2电极8连接至第2TFT20的源极以及有机EL元件,并保持第2TFT20的Vgs。第3TFT30于保持电容Cs充电时固定第2电极电位。
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公开(公告)号:CN1259807C
公开(公告)日:2006-06-14
申请号:CN03107575.4
申请日:2003-03-05
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L27/3246
Abstract: 一种有机EL器件,用新方法制造,以减少有机EL器件中不良的发光的出现次数。像素孔径形成在除接触孔上方部分之外的部分上,接触孔连接驱动晶体管的源极和有机光发射器件的像素电极。像素电极不平坦的部分被绝缘层盖住以避免像素电极和相反电极之间短路。
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公开(公告)号:CN1218291C
公开(公告)日:2005-09-07
申请号:CN03101972.2
申请日:2003-01-30
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L29/6675 , G02F1/133345 , G02F1/13454 , G02F1/136209 , H01L27/1251 , H01L29/78621 , H01L29/78633 , H01L29/78645 , Y10T428/24479
Abstract: 本发明提供半导体显示装置,其制造方法及有源矩阵型显示装置,其目的在于:即使具备通过对遮光层上方的非晶半导体照射雷射以制得多晶半导体的步骤时,亦能保持良好的显示品质。其特征为:在玻璃基板1上形成遮光层2,而在此等玻璃基板1以及遮光层2上,积层形成有氮化硅层3以及氧化硅层4。在此氧化硅层4上形成构成晶体管DTFT的多晶硅层4的非晶硅层。然后,通过对此非晶硅层照射雷射,而形成多晶硅层10。
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公开(公告)号:CN1573887A
公开(公告)日:2005-02-02
申请号:CN200410048196.8
申请日:2004-06-21
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor: 佐野景一
IPC: G09G3/32
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G3/2022 , G09G2300/0852 , G09G2300/0861 , G09G2300/0876 , G09G2310/06 , G09G2320/043 , G09G2330/021
Abstract: 本发明提供一种可利用简易电路进行时间分割数位阶调显示的显示装置。本发明的显示装置各像素具备有机EL元件(40)、驱动TFT(36)、控制TFT(32)、控制电容(38);驱动TFT(36)设置在EL组件(40)与EL电源之间,控制对EL组件(40)的供电。控制TFT(32)连接在定电压源与驱动TFT(36)的栅极之间,在栅极接收数字资料信号,并控制是否固定驱动TFT(36)的栅极电压。在控制线施加有用于指定EL组件(40)的发光期间的控制脉冲信号,在控制线与驱动TFT(36)的栅极之间连接有控制电容38。
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公开(公告)号:CN1312522C
公开(公告)日:2007-04-25
申请号:CN200410059491.3
申请日:2004-06-28
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor: 佐野景一
CPC classification number: G09G3/20 , G09G3/3677 , G09G3/3688 , G09G2310/0267 , G09G2310/0275 , G09G2310/0286 , G09G2310/08 , G09G2330/021
Abstract: 本发明在提供一种可抑制消耗电流增加的显示装置。其特征为:具备将第1电路部(4b1)予以多个连接而成的移位缓存器电路(4a1),该第1电路部(4b1)具有:连接于负侧电位HVSS侧的p通道晶体管(PT1);连接于正侧电位VHDD侧的p通道晶体管(PT2);连接于p通道晶体管(PT1)的闸极与正侧电位HVDD之间的p通道晶体管(PT3);连接于p通道晶体管(PT1)的闸极,且响应频率信号HCLK1而导通的p通道晶体管(PT4);以及连接于p通道晶体管(PT4)与负侧电位HVSS之间,且响应频率信号HCLK1的反转频率信号的频率信号HCLK2而导通的p通道晶体管(PT5)。
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