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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100421281C
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200410095350.7
申请日：2004-11-24
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L27/3244
Abstract: 本发明公开一种有源矩阵有机电致发光显示装置，其中两个相对像素形成在一个像素区中以获得高的孔径比，且有利于制造加工。所述有机电致发光显示装置包括栅极线，数据线和电源线，它们都形成在绝缘基底上，以及由栅极线，数据线和电源线所限定的像素区，其中每个像素区包括两个相对像素，并且所述像素区以矩阵形式设置。
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公开(公告)号：CN1275098C
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200410003872.X
申请日：2004-02-06
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: C23C14/042 , B32B3/266 , B32B7/04 , Y10T156/10 , Y10T428/24322
Abstract: 本发明公开了一种显示装置的沉积掩模及其制造方法。其易于保证定位精度和图形尺寸精度，并适用于高分辨率显示装置。本发明的沉积掩模具有至少一个图形掩模，其具有与将形成在衬底上的图形相同的图形；以及边框掩模，其具有至少一个开口。图形掩模在对应于开口的边框掩模区域被分别固定到边框掩模。沉积掩模通过制备具有与将形成在衬底上的图形相同的图形的至少一个图形掩模和具有至少一个开口的边框掩模制作而成。该方法还包括将图形掩模与边框掩模的开口对准并将与开口对准的图形掩模固定到边框掩模上。
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公开(公告)号：CN1658725A
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN200410075884.3
申请日：2004-11-22
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L27/3248 , H01L27/3246 , H01L27/3258 , H01L51/5209
Abstract: 本发明涉及一种有机发光显示器及其制造方法。该有机发光显示器包括具有像素驱动电路区域和开口区域的基板。具有源极/漏极电极的薄膜晶体管设置在基板的像素驱动电路区域上。在源极/漏极电极上设置钝化绝缘层，并使之具有用于暴露源极/漏极电极之一的通孔。像素电极设置在通孔的底表面上并与暴露的源极/漏极电极相接触，并在绝缘层上延伸。第一光敏有机绝缘层设置在形成了像素电极的通孔内，从而填充通孔并暴露通孔周围的像素电极部分。有机发射层设置在暴露的像素电极上。
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公开(公告)号：CN1622712A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN200410095350.7
申请日：2004-11-24
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L27/3244
Abstract: 本发明公开一种有源矩阵有机电致发光显示装置，其中两个相对像素形成在一个像素区中以获得高的孔径比，且有利于制造加工。所述有机电致发光显示装置包括栅极线，数据线和电源线，它们都形成在绝缘基底上，以及由栅极线，数据线和电源线所限定的像素区，其中每个像素区包括两个相对像素，并且所述像素区以矩阵形式设置。
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公开(公告)号：CN1534383A
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN200410003872.X
申请日：2004-02-06
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: C23C14/042 , B32B3/266 , B32B7/04 , Y10T156/10 , Y10T428/24322
Abstract: 本发明公开了一种显示装置的沉积掩模及其制造方法。其易于保证定位精度和图形尺寸精度，并适用于高分辨率显示装置。本发明的沉积掩模具有至少一个图形掩模，其具有与将形成在衬底上的图形相同的图形；以及边框掩模，其具有至少一个开口。图形掩模在对应于开口的边框掩模区域被分别固定到边框掩模。沉积掩模通过制备具有与将形成在衬底上的图形相同的图形的至少一个图形掩模和具有至少一个开口的边框掩模制作而成。该方法还包括将图形掩模与边框掩模的开口对准并将与开口对准的图形掩模固定到边框掩模上。
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