公开(公告)号：CN108075117B

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN201711159045.3

申请日：2017-11-20

Applicant: 三星电子株式会社 ,  三星SDI株式会社

Inventor： 文钟硕 ,  金美钟 ,  金世元 ,  沈揆恩 ,  韩圣洙 ,  孙寅赫 ,  李柱明

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/38 ,  H01M4/485 ,  H01M4/62 ,  H01M10/0525 ,  H01L35/22 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  G01N27/327 ,  G01N27/30

Abstract: 本发明涉及多孔硅复合物、其制备方法、用其的碳复合物及各自含其的电极、锂电池和器件。多孔硅复合物簇结构体包括：多孔硅复合物簇，其包括多孔硅复合物二次颗粒和在所述多孔硅复合物二次颗粒的至少一个表面上的第二碳薄片；和在所述多孔硅复合物簇上的碳质层，碳质层包括无定形碳，其中所述多孔硅复合物二次颗粒包括两个或更多个硅一次颗粒的聚集体，所述两个或更多个硅一次颗粒包括硅、在硅的表面上的其中0

公开(公告)号：CN110085856B

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN201910057393.2

申请日：2019-01-22

Applicant: 三星电子株式会社 ,  三星SDI株式会社

Inventor： 文钟硕 ,  金美钟 ,  金世元 ,  沈揆恩 ,  韩圣洙 ,  孙寅赫 ,  李柱明 ,  林珉愚

IPC: H01M4/38 ,  H01M4/62 ,  H01M10/052

Abstract: 本发明涉及含硅结构体、其制备方法、使用其的碳复合物及各自包括其的电极、锂电池和设备。含硅结构体包括：硅复合物，其包括多孔硅二次颗粒和在所述多孔硅二次颗粒的表面上的第一碳片；在硅复合物上的碳质包覆层，所述碳质包覆层包括第一无定形碳；以及所述硅复合物包括第二无定形碳且具有等于或小于所述碳质包覆层的密度的密度，其中所述多孔硅二次颗粒包括硅复合一次颗粒的聚集体，所述硅复合一次颗粒各自包括硅、在所述硅的表面上的硅低价氧化物、和在所述硅低价氧化物的表面上的第二碳片。

公开(公告)号：CN110085856A

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201910057393.2

申请日：2019-01-22

Applicant: 三星电子株式会社 ,  三星SDI株式会社

Inventor： 文钟硕 ,  金美钟 ,  金世元 ,  沈揆恩 ,  韩圣洙 ,  孙寅赫 ,  李柱明 ,  林珉愚

IPC: H01M4/38 ,  H01M4/62 ,  H01M10/052

Abstract: 本发明涉及含硅结构体、其制备方法、使用其的碳复合物及各自包括其的电极、锂电池和设备。含硅结构体包括：硅复合物，其包括多孔硅二次颗粒和在所述多孔硅二次颗粒的表面上的第一碳片；在硅复合物上的碳质包覆层，所述碳质包覆层包括第一无定形碳；以及所述硅复合物包括第二无定形碳且具有等于或小于所述碳质包覆层的密度的密度，其中所述多孔硅二次颗粒包括硅复合一次颗粒的聚集体，所述硅复合一次颗粒各自包括硅、在所述硅的表面上的硅低价氧化物、和在所述硅低价氧化物的表面上的第二碳片。

公开(公告)号：CN108075117A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201711159045.3

申请日：2017-11-20

Applicant: 三星电子株式会社 ,  三星SDI株式会社

Inventor： 文钟硕 ,  金美钟 ,  金世元 ,  沈揆恩 ,  韩圣洙 ,  孙寅赫 ,  李柱明

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/38 ,  H01M4/485 ,  H01M4/62 ,  H01M10/0525 ,  H01L35/22 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  G01N27/327 ,  G01N27/30

CPC classification number: H01M4/386 ,  H01G11/24 ,  H01G11/38 ,  H01G11/42 ,  H01G11/50 ,  H01M4/04 ,  H01M4/0471 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1393 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/362 ,  H01M4/364 ,  H01M4/366 ,  H01M4/625 ,  H01M10/052 ,  H01M2004/021 ,  H01M2004/027 ,  Y02E60/13 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  G01N27/308 ,  G01N27/327 ,  H01L35/22 ,  H01M4/485 ,  H01M4/628 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明涉及多孔硅复合物、其制备方法、用其的碳复合物及各自含其的电极、锂电池和器件。多孔硅复合物簇结构体包括：多孔硅复合物簇，其包括多孔硅复合物二次颗粒和在所述多孔硅复合物二次颗粒的至少一个表面上的第二碳薄片；和在所述多孔硅复合物簇上的碳质层，碳质层包括无定形碳，其中所述多孔硅复合物二次颗粒包括两个或更多个硅一次颗粒的聚集体，所述两个或更多个硅一次颗粒包括硅、在硅的表面上的其中0

公开(公告)号：CN104752700B

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN201410503918.8

申请日：2014-09-26

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金世元 ,  文钟硕 ,  沈载贺 ,  庾太焕

IPC: H01M4/38 ,  H01M4/505 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/13915 ,  H01M4/131 ,  H01M4/1315

Abstract: 本发明涉及锂二次电池用阴极活性物质、其制造方法及包含其的锂二次电池。本发明的阴极活性物质的特性在于，包含由Li1+(c‑a)/2NiaCobMncO2‑xFx(0.1≤c‑a≤0.4，0.13≤a≤0.3，0.03≤b≤0.2，0.4≤c≤0.6，(a+b+c)+(1+(c‑a)/2)＝2，0