公开(公告)号：CN102760791B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201210101847.X

申请日：2012-04-09

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金元均 ,  郭熙峻 ,  朴商镇 ,  金永镇 ,  徐祥源

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0352

CPC classification number: H01L31/0682 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明公开了一种在太阳能电池中形成掺杂区的方法、一种太阳能电池及其制造方法。在太阳能电池中形成掺杂区的方法包括：制备基底的第一表面和第二表面；在第一表面的一部分中形成掺杂有第一掺杂剂的第一掺杂区；在第一表面上形成氧化硅层，氧化硅层包括第一氧化硅层和第二氧化硅层，第一氧化硅层位于第一掺杂区上且具有第一厚度，第二氧化硅层位于第一表面的未被第一掺杂剂掺杂的部分上并且具有比第一厚度小的第二厚度；从第一表面的外部向第一氧化硅层和第二氧化硅层中注入第二掺杂剂；通过对第一氧化硅层、第二氧化硅层和基底执行热处理形成与第一掺杂区相邻的第二掺杂区。

公开(公告)号：CN102760791A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201210101847.X

申请日：2012-04-09

Applicant: 三星SDI株式会社 ,  三星电子株式会社

Inventor： 金元均 ,  郭熙峻 ,  朴商镇 ,  金永镇 ,  徐祥源

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0352

CPC classification number: H01L31/0682 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明公开了一种在太阳能电池中形成掺杂区的方法、一种太阳能电池及其制造方法。在太阳能电池中形成掺杂区的方法包括：制备基底的第一表面和第二表面；在第一表面的一部分中形成掺杂有第一掺杂剂的第一掺杂区；在第一表面上形成氧化硅层，氧化硅层包括第一氧化硅层和第二氧化硅层，第一氧化硅层位于第一掺杂区上且具有第一厚度，第二氧化硅层位于第一表面的未被第一掺杂剂掺杂的部分上并且具有比第一厚度小的第二厚度；从第一表面的外部向第一氧化硅层和第二氧化硅层中注入第二掺杂剂；通过对第一氧化硅层、第二氧化硅层和基底执行热处理形成与第一掺杂区相邻的第二掺杂区。