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公开(公告)号：CN1368650A
公开(公告)日：2002-09-11
申请号：CN01137912.X
申请日：2001-11-05
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: C23C14/027 , C23C14/06 , G02B1/116 , G02B5/289 , G02F1/133512 , G02F1/13439 , Y10T428/1064 , Y10T428/1068 , Y10T428/24942
Abstract: 提供的是一种包含一个过渡层的功能薄膜,该过渡层包含有随该薄膜厚度渐变的含量梯度的第一成分和第二成分,第一成分是从SiOx(x>1)、MgF2、CaF2、Al2O3、SnO2、In2O3和ITO组成的一组中选择的至少一种介电材料,而第二成分是从铁(Fe)、钴(Co)、钛(Ti)、钒(V)、铝(Al)、银(Ag)、硅(Si)、锗(Ge)、钇(Y)、锌(Zn)、锆(Zr)、钨(W)和钽(Ta)组成的一组中选择的至少一种材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1311286C
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN01137909.X
申请日：2001-11-05
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: G02F1/19
CPC classification number: C23C14/027 , C23C14/10 , C23C14/352 , G02B1/10 , H05K9/0096 , Y10T428/1059 , Y10T428/1068 , Y10T428/12458 , Y10T428/12583 , Y10T428/1259 , Y10T428/12597 , Y10T428/12604 , Y10T428/12611 , Y10T428/26
Abstract: 提供的是一种包含一个过渡层的功能薄膜，该过渡层包含有SiO作为介电材料的第一成分和至少一种选自铝(Al)、银(Ag)、硅(Si)、锗(Ge)、钇(Y)、锌(Zn)、锆(Zr)、钨(W)和钽(Ta)的第二成分，第一和第二成分有随薄膜厚度渐变的含量梯度。
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公开(公告)号：CN1368649A
公开(公告)日：2002-09-11
申请号：CN01137910.3
申请日：2001-11-05
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: C03C17/225 , C03C17/23 , C03C17/36 , C03C17/3607 , C03C17/3626 , C03C17/3642 , C03C17/3676 , C03C17/3694 , C03C2217/91 , C23C14/027 , C23C14/0617 , C23C14/0652 , C23C14/081 , C23C14/10 , G02B1/10 , Y10T428/24942
Abstract: 提供的是一种包含一个过渡层的功能薄膜,该过渡层包含一种从铝和硅中选择的第一成分和至少一种从氧和氮中选择的第二成分,该第一成分和第二成分有随该薄膜的厚度渐变的含量梯度。
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公开(公告)号：CN1250984C
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN01137910.3
申请日：2001-11-05
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: C03C17/225 , C03C17/23 , C03C17/36 , C03C17/3607 , C03C17/3626 , C03C17/3642 , C03C17/3676 , C03C17/3694 , C03C2217/91 , C23C14/027 , C23C14/0617 , C23C14/0652 , C23C14/081 , C23C14/10 , G02B1/10 , Y10T428/24942
Abstract: 提供的是一种包含一个过渡层的功能薄膜，该过渡层包含一种从铝和硅中选择的第一成分和至少一种从氧和氮中选择的第二成分，该第一成分和第二成分有随该薄膜的厚度渐变的含量梯度，渐变的含量梯度是如此分布的，以致在外部光线的入射方向上，第一成分的含量随薄膜的厚度逐渐增大，而第二成分的含量随薄膜的厚度逐渐减小。
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公开(公告)号：CN1246731C
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN01137912.X
申请日：2001-11-05
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: C23C14/027 , C23C14/06 , G02B1/116 , G02B5/289 , G02F1/133512 , G02F1/13439 , Y10T428/1064 , Y10T428/1068 , Y10T428/24942
Abstract: 提供的是一种包含一个过渡层的功能薄膜，该过渡层包含有随该薄膜厚度渐变的含量梯度的第一成分和第二成分，第一成分是从SiOX(x＞1)、MgF2、CaF2、Al2O3、SnO2、In2O3和ITO组成的一组中选择的至少一种介电材料，而第二成分是从铁(Fe)、钴(Co)、钛(Ti)、钒(V)、铝(Al)、银(Ag)、硅(Si)、锗(Ge)、钇(Y)、锌(Zn)、锆(Zr)、钨(W)和钽(Ta)组成的一组中选择的至少一种材料。
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公开(公告)号：CN1368657A
公开(公告)日：2002-09-11
申请号：CN01137909.X
申请日：2001-11-05
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: G02F1/19
CPC classification number: C23C14/027 , C23C14/10 , C23C14/352 , G02B1/10 , H05K9/0096 , Y10T428/1059 , Y10T428/1068 , Y10T428/12458 , Y10T428/12583 , Y10T428/1259 , Y10T428/12597 , Y10T428/12604 , Y10T428/12611 , Y10T428/26
Abstract: 提供的是一种包含一个过渡层的功能薄膜,该过渡层包含有SiO作为介电材料的第一成分和至少一种选自铝(Al)、银(Ag)、硅(Si)、锗(Ge)、钇(Y)、锌(Zn)、锆(Zr)、钨(W)和钽(Ta)的第二成分,第一和第二成分有随薄膜厚度渐变的含量梯度。
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